中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺

　　9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。

　　 据悉，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，是近年来发展最为迅速的非易失性存储（NVM）产品。38纳米NAND闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。也可利用此技术带动串行外设接口（SPI）NAND市场的发展以及不断增长的物联网相关产品的应用。此次中芯国际成功推出38纳米NAND闪存技术，能够帮助客户满足中国及全球市场对此技术的需求。