碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。
中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部借鉴上海硅酸盐所发明的多坩埚下降晶体制备技术，在对气相输运与沉积基本科学技术原理深入认识的基础上，发明了多头物理气相输运技术，成功实现单炉次制备多个碳化硅晶体，所得晶体的一致性、重复性和稳定性有明显提升。采用多头物理气相输运技术使晶体制备效率提高至传统制备技术的300%以上，制备成本则降低至原来的40%以下，有望实现低成本、高效率碳化硅晶体制备，有效推动其在民用领域的大规模应用。
多头物理气相输运技术碳化硅晶体制备过程
据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到50mm的6英......
东京大学和东京工业大学在合作研究中发现，通过在碳化硅（SiC）晶体基板表面制作单一原子层的石墨烯，然后向其上面蒸镀钙（在真空中层积原子）并进行加热处理，制作出的样品在冷却后具备超导特性。相关论文发表在......
日前，中国电子科技集团公司第二研究所宣布碳化硅激光剥离设备研发项目通过专家评审论证，正式立项、启动。碳化硅半导体材料具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车......
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心教授AdamGali合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心......
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐辐照、强度大、硬度高、热膨胀率小等优异的综合性能，在能源安全领域扮演着重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用传统的粉末方法，即从微粉制备......
据芝加哥大学网站消息，该大学普利兹克分子工程学院的科学家们在量子技术研究领域取得了一项重大突破——用碳化硅制造的常用电子设备可以集成和控制量子态。该研究成果发表在《科学》和《科学进展》杂志上。该研究团......
碳化硅单晶基光导开关因具有传统开关器件不可比拟的特性，已显现出在高技术领域中的广阔应用前景，近些年来得到国际科技界和工业界越来越多的关注。近期，中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部在开展碳化硅晶......
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。中国科学院上......
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。中国科学院上......
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。中国科学院上......
