1、打开封装，一般有三种方法。全剥离法，集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，无法再进行电动态分析 。方法二局总去除法，三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线，开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。
2、缺陷定位，定位具体失效位置在集成电路失效分析中，是一个重要而困难的项目，缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。
a.Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射。
b.OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。
C.液晶热点检测一般由偏振显微镜，可调节温度的样品台，以及控制电路构成。在由晶体各向异性变为晶体各向同性时，所需要的临界温度能量很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90度，偏振显微镜要在正交偏振光的使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。