新型打印技术所得薄膜导电性能优异
本报讯据物理学家组织网6月2日报道，美国科学家设计出了一种新的打印过程，不仅比传统方法更迅捷，而且适用于多种有机材料，得到的有机半导体薄膜的性能也要优异10倍。研究人员在最新一期的《自然·材料学》杂志上表示，最新进展有望引领有机电子设备领域的新变革。 有机电子设备可以广泛应用于多个领域，但即便是目前性能最好的薄膜，其在导电方面也差强人意。为此，美国国防部下属的斯坦福直线加速器中心(SLAC)和斯坦福大学的研究人员设计了一种新的打印过程。他们发现，借用新方法，使用某些材料制造出的薄膜的导电能力是目前性能最好的薄膜的10倍。这些半导体薄膜可用来制造轻便且成本低廉的太阳能电池、柔性电子显示器和纤薄的传感器等。 该论文的主要作者、SLAC/斯坦福大学博士后刁颖(音译)说：“更重要的是，最新方法可以升级，从而满足工业需求。” 刁颖表示，在快速打印过程中，很容易出现墨流分布不均的情况，这会使得到的半导体晶体布满瑕疵，但......阅读全文
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜
据物理学家组织网8月21日(北京时间)报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。 半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质
美开发厚度为单原子直径的半导体薄膜
美国北卡州立大学研究人员22日表示，他们开发出制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。材料科学和工程助理教授曹林友(音译)说，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。 研究人员研究的材料是硫化钼，它是一种价格低廉的半导体材
光伏新技术在半导体薄膜发电领域的创新应用
劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员发现一种新的方法，可克服传统固态太阳能电池带隙电压的限制，使半导体薄膜材料可产生光伏效应。 该研究小组研究使用的是铋铁氧体－利用铋、铁和氧制作的陶瓷。铋铁氧体是多铁氧体，同时显示出铁电和铁磁性质。铁电性是指通过电场逆转，材料的自发电极化；而铁磁性是指物质表现出*磁矩的
光伏新技术在半导体薄膜发电领域的创新应用
劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员发现一种新的方法，可克服传统固态太阳能电池带隙电压的限制，使半导体薄膜材料可产生光伏效应。 该研究小组研究使用的是铋铁氧体－利用铋、铁和氧制作的陶瓷。铋铁氧体是多铁氧体，同时显示出铁电和铁磁性质。铁电性是指通过电场逆转，材料的自发电极化；而铁磁性是指物质表现出*
电子顺磁共振波谱的测试能测试半导体薄膜吗
电子顺磁共振首先是由前苏联物理学家 E·K·扎沃伊斯基于1944年从MnCl2、CuCl2等顺磁性盐类发现的。物理学家最初用这种技术研究某些复杂原子的电子结构、晶体结构、偶极矩及分子结构等问题。以后化电子顺磁共振波普仪学家根据电子顺磁共振测量结果，阐明了复杂的有机化合物中的化学键和电子密度分布以及与
半导体集成电路的厚膜电路和薄膜电路相关介绍
从整个集成电路范畴讲，除半导体集成电路外，还有厚膜电路与薄膜电路。 ①厚膜电路。以陶瓷为基片，用丝网印刷和烧结等工艺手段制备无源元件和互连导线，然后与晶体管、二极管和集成电路芯片以及分立电容等元件混合组装而成。 ②薄膜电路。有全膜和混合之分。所谓全膜电路，就是指构成一个完整电路所需的全部有源
合肥研究院在有机半导体磁诱导生长和性能研究中获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心张发培研究团队提出强磁场诱导有机材料生长的新策略，实现高性能半导体聚合物薄膜的结构调控并提高其电荷传输能力，相关研究成果分别发表在ACS Applied Materials & Interface，Journal of Materials Chem
上海高研院等在一批钙钛矿半导体薄膜研究获进展
近年来，钙钛矿半导体材料的发展对光转换应用的进展产生了明显的积极影响，目前已在场发射晶体管、太阳能电池、光通讯、X射线探测、激光器等领域崭露头角。其中，钙钛矿太阳能电池以其更加清洁、便于应用、制造成本低和效率高等显著优点，迅速成为国际上科研和产业关注的热点。要实现此类器件的市场化应用需要进一步解
国家863计划新材料技术领域2014年度备选项目征集指南
一、指南方向与内容 1. 新型电子材料与器件 1.1 第三代半导体材料及应用 1.1.1 高质量第三代半导体材料关键技术 开展第三代半导体材料大尺寸、低成本、高质量衬底制备和外延技术研究，突破相关核心关键技术，满足高温、高频、高效大功率器件研制的需求。 1.1.2