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漫谈半导体工艺节点（三）

Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。 环形栅极场效应管需要复杂的纳米线架构，但这个在精度控制上面并没有验证。这中间还会面临很多挑战，其中一个就是接触电阻。 至于花费方面，从Intel的22nm开始，和传统的Planar相比，在工艺流程中使用FinFET需要额外付5%的费用，因此在工艺制程中你可以轻易引进一些“破坏性”的新技术。如果是用环形栅极场效应管做水平图层，很多步骤都是和以前相同。当然，也会添加一些类似epi（外延）、selective removal（选择性刻蚀or选择性去除） 和 ALD等工序。 如果几十年后，业界用平面晶体管设计和生产芯片，这又是另一个课......阅读全文