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根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变器。这些强大的优势包括：更低的均化电力成本，提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润，此外，这些器件还能改善性能和可靠性。 “采用宽禁带半导体即碳化硅和氮化镓，是太阳能逆变器的制胜之道，”Lux Research分析师Pallavi Madakasira表示，“采用SiC和GaN器件带来的性能优势是如此之多，以至于逆变器厂商能够在显著降低均化电力成本的同时，收取更高的价格。” GaN和SiC器件优势大点兵 ......阅读全文
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
一、指南方向与内容 1.太阳能发电 1.1喷墨打印制备超细栅电极太阳电池中试线关键技术研究 下设1个研究方向。 1.1.1喷墨打印制备超细栅电极太阳电池中试线关键技术研究(前沿技术类，国拨经费控制额1000万元，企业牵头) 研发适用于晶硅、薄膜等不同类型太阳电池的低
近日，科技部高新司在厦门组织召开了“十二五”国家863计划“基于国产宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”项目验收会。 项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷SiC外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三
第三代 半导体材料——氮化镓( GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务
转换和电源管理应用越来越需要具有可靠性、耐久性和准确性的电流传感器。下一代电子设备将面临重大的技术挑战，这将影响电源管理性能和效率。必须仔细选择用于监测负载吸收的功率以及控制和保护电源所需的电流传感器，在霍尔效应传感器、变压器、并联电阻器或AMR传感器中，不时选择最shi合具体应用的解决方案。根