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国家硅材料质检中心落户东海

选址于东海县的国家硅材料深加工产品质量监督检验中心,近日经国家质检总局批准启动建设。东海水晶、石英储量丰富,拥有硅资源加工企业500多家,硅材料产品1000多个品种,硅产业年产值已突破130亿元,成为我国硅材料领域的重要高新技术和产业集聚区。 ......阅读全文

TOKO压力传感器芯体材质都有哪些?

  目前,TOKO压力传感器芯体材质品种繁多,下面简单介绍下几种芯体材质的性能  一、单晶硅  硅在集成电路和微电子器件生产中有着广泛的应用,主要是利用硅的电学特性;在MEMS微机械结构中,则是利用其机械特性,继而产生新一代的硅机电器件和装置。硅材料储量丰富,成本低。硅晶体生长容易,并存在

二极管和三极管的命名原则

一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:

硅硫材料对复合污染土壤镉砷赋存形态的影响

  为探究含硅含硫材料对极重度(矿区)镉砷复合污染土壤镉、砷形态动态变化的影响,以及轻、重度镉砷复合污染耕地土壤与淹水条件下含硅含硫材料对土壤镉、砷形态变化的影响,本试验采集三种不同污染程度土壤(极重度矿区污染土壤、重度污染耕地土壤、轻度污染耕地土壤),通过室内土壤培养的方法模拟施用含硅含硫材料,研

ICP测定硅材料中多种元素

硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。  由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度

宁波材料所纳米硅基负极材料研究取得进展

  相对于传统石墨负极材料(372mAh/g),硅负极材料具有极高的理论比容量(3580mAh/g),是未来高能量密度动力锂离子电池负极材料首选。但硅负极材料在充放电循环过程中存在体积变化(高达3倍以上),造成硅颗粒粉化,从而引发SEI膜反复再生库伦效率低,电接触变差极化增大,使实际硅负极材料循环寿

从机壳到芯片,“全碳化”竞争拉开帷幕

  不少观点都认为,碳纳米管及石墨烯等各种碳类材料将取代现有材料、比如硅,成为电子领域的主角。   硅作为半导体材料,其性能并不高,也曾数度出现过可与之竞争的候补材料,但硅材料总能凭借某些因素而胜出。不过,硅材料也正在接近其真正的极限。最有望成为硅的替代材料的,就是CNT、石墨烯等碳材料。   

硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展

  硅是半导体行业最常见的材料,基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中,从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展,研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题,“光”被认为是一种非常有潜力的

宁波材料所在高性能锂离子电池负极材料领域取得系列进展

   锂离子电池与铅酸、镍镉、镍氢等电池相比,由于其较高的能量密度、较长的使用寿命、较小的体积、无记忆效应等特点,成为现今能源领域研究的热点之一。负极材料是锂离子电池的关键组件之一,其作为锂离子的受体,在充放电过程中实现锂离子的嵌入和脱出。因此,负极材料的好坏直接影响锂离子电池的整体性能。目前,商用

傅里叶红外光谱仪在第三代Sic半导体应用

   据消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。当前,以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视,不少半导体厂商已率

硅中嵌入锗晶体可有效阻止热传导

  据德国莱布尼茨固态与材料研究所网站报道,近日,该所参与的一个德法联合研究小组通过在硅材料中嵌入锗纳米晶体,有效地阻止了热传导,使其可用于温差发电,开创了硅材料新的应用领域。最新一期的《自然·材料》杂志报道了这个或将带来突破的成果。   硅是微电子的关键材料。如果没有硅,我们今天

MEMS科学研究开始逐渐弃用硅材料

  自1984年以来,“固态传感器、执行器及微系统研讨会”(The Solid State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop)一直都是最高水平MEMS新技术的展示舞台。该国际研讨会是MEMS领域最具竞争力的会议之一,众多提交的参会文摘中,只有1

2011中国材料研讨会资深材料专家做特邀报告

  2011年5月18日下午,2011中国材料研讨会组织委员华南理工大学李元元校长和中国科学院上海硅酸盐研究所罗宏杰所长主持的大会特邀报告在北京国家会议中心大会堂B举行,多年从事材料研究的资深院士、专家为大家带来一个个精彩的报告。  特邀报告会现场  C.T.

SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究

随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展,集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,遇到了严峻的挑战。应变硅技术、SOI(Silicon-on-Insulator)技术和高K栅介质材料是三项在硅材料与

《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》解读

  问:《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》(以下简称《规划》)是在什么样的背景下出台的?   答:太阳光伏发电和光热利用是近十年来世界上发展最迅猛的可再生能源技术,作为我国重点培育的战略性新兴产业明确列为我国“十二五”科技发展重点。我国的光伏发电和光热利用两大产业规模已跻身世界第一

科技部解读太阳能发电和洁净煤技术十二五规划

  5月16日,科技部在其官方网站分别就《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》和《洁净煤技术科技发展“十二五”专项规划》作出解读。 《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》解读   问:《太阳能发电科技发展“十二五”专项规划》(以下简称《规划》)是在什么样的背景下出台的?   答:

如何选择微流控芯片?

  微流控芯片是用于微流控研究的装置,其中的微通道已经被模塑或图案化。形成微流控芯片的微通道被连接起来以允许流体流过不同的通道,从一个地方流到另一个地方。这些微流道网络通过进口和出口连接到外部环境。通过被动方式或外部有源系统(压力控制器、注射泵或蠕动泵)从微流控芯片中注入、管理、移除液体或气体。通道

有了这个方法,硅纳米线锂电负极材料将不再是困难

  近日,中国科学院过程工程研究所在热等离子体制备硅纳米线负极材料上取得新进展,实现每小时公斤级量产,且制备的电池容量和寿命都达到较高标准,与碳材料复合后循环1000次的容量仍有2000mAh/g,为硅碳负极材料的产业化进展提供了新思路。相关研究结果发表在ACS Nano上。  目前传统的石墨负极材

第三代半导体有望写入下月十四五规划 成国产替代希望

近日,有媒体报道称,权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化,从第一代、

用于制作微流控芯片材料的主要优势

微流控分析芯片发源于MEMS技术,因此早期常用的材料是晶体硅和玻璃。高分子聚合物材料近年来己经成为微流控芯片加工的主导材料,它的种类繁多、价格便宜、绝缘性好,可施加高电场实现快速分离,加工成型方便,易于实现批量化生产。晶体硅具有散热好、强度大、价格适中、纯度高和耐腐蚀等优点,随着微电子的发展,硅材料

微流控芯片有哪些材料

  微流控芯片起源于MEMS(微机电系统)技术,早期常用的材料是硅和玻璃。近年来高分子聚合物材料己经成为微流控芯片加工的主要材料,它的种类多、价格便宜、绝缘性好、性能指标优,可施加高电场实现快速分离,加工成型方便,易于实现批量化生产。  微流控芯片的材料——硅  硅具有散热好、强度大、价格

中建材蚌埠院入选“首批安徽省实验室”

  2月23日,安徽省科学技术奖励大会在合肥隆重召开。大会上,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院入选十大“首批安徽省实验室”,被省委、省政府授予“硅基材料安徽省实验室”。中建材蚌埠院院长、浮法玻璃新技术国家重点实验室主任彭寿参加大会并接受授牌。  硅基材料安徽省实验室以解决硅基材料制备过程中的基础理论和共

新材料将令芯片更小 硅时代进入倒计时

  硅基晶体管无法一直缩小下去,芯片公司已经考虑用其它材料取代硅,其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。   加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数,下一代或下下一代人将不会再使用硅,将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去,芯片公司已经考虑用其它材料取代硅,其中的热

东海投数千万建国家硅产品质检中心

  日前,江苏省质监局在连云港市东海县举行国家硅材料产品质量监督检验检测中心项目论证会。该项目建设方案通过了国家质检总局以及硅材料领域的专家审核。   东海县已投入数千万元,建成了近万米的科技检测检验大楼,目前初步具备了石英原石、石英玻璃、碳化硅、熔融石英、硅微粉等产品的检验检测能力。该中心的建设

X射线衍射光学部件的制备及其光学性能表征(三)

2.4 波带片透镜的极限高宽比研究为了实现硬X射线的高效率成像,波带片透镜的绝对厚度和大高宽比一直是X射线光学技术发展追求的目标。然而,采用电子束光刻的手段能够实现的最大高宽比及其影响因素等方面的研究在国内外一直没有专门报道。本文综述了我们运用蒙特卡罗模拟法和显影动力学理论,结合实际电子束光刻的形貌

打造世界一流硅基材料实验室

  蚌埠龙子湖畔,一座由玻璃制成的圆形建筑,如同一颗明珠镶嵌在南北融通之地。这是中国玻璃新材料科技产业园,近年来,一项项玻璃行业的世界纪录在产业园被刷新。不远处,南来北往的列车从产业园把“蚌埠创造”向世界传递。半个月前,产业园里迎来了一件大事——“硅基材料安徽省实验室”正式揭牌,蚌埠千亿级产业基地迈

石墨烯“表亲”硅烯晶体管首秀

  2月初,研究者揭示了第一块硅烯晶体管的相关细节,如果这种硅薄层结构能应用于电子设备的制造,可能会推动半导体工业实现终极的微型化。  七年前,硅烯还只是理论家的一个梦。在对石墨烯(单原子层厚度、蜂巢状的碳材料)的狂热兴趣的驱动下,研究者推测硅原子也许也能形成类似的层状结构。而如果这种硅薄层结构能应

微流控芯片的材料和特点

1. 微流控芯片的材料刚性材料——单晶硅、无定性硅、玻璃、石英等;刚性有机聚合物材料如环氧、聚脲、聚氨、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯等;弹性材料——二甲基硅氧烷( PDMS) 。2. 微流控分析芯片材料的特点有机聚合物芯片材料的基本要求:①材料应易被加工;②有良好的光学透明性;③在分析条件下材料应是惰

宁波材料所高性能可充电电池电极材料领域获进展

  随着可充电(二次)电池在能源领域的广泛应用,具有更高能量密度、更大功率密度的可充电电池体系成为研究人员追逐的研究热点。近年来,随着二次电池锂离子电池、钾离子电池、镁离子电池以及铝离子电池等的发展,开发匹配以上二次电池高性能的电极材料成为能否实现新型高性能储能与能量转换等目标的关键。  近年来,中

解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法-1

  7奈米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律(Moore’s Law)的下一重要关卡。半导体进入7奈米节点后,前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战,半导体厂已加紧研发新的元件设计构架,以及金属导线等材料,期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。  台积电预告2017年第二季10奈米芯片将会量

新型纸状材料助力电动车电池发展

  导读: 据国外科技媒体本周报道,加州大学河滨分校伯恩斯工程学院开发了一种可用于锂离子电池的新型纸状材料,它可以成倍地提高电池单位重量可传输的能量。这种纸状材料是由厚度还不及人类头发百分之一的海绵状硅纳米纤维材料制成的,它能被用于电动汽车的电池和个人电子设备中。  据国外科技媒体本周报道,加州大学