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《纳米快报》:美科学家开发出宽度5纳米忆阻器

上世纪60年代,英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。然而,芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重,有人以为看到了集成电路技术的天花板,于是便开始轻狂地对摩尔大叔说三道四。 然而,据美国《纽约时报》8月30日报道,美国莱斯大学和惠普公司的科学家报告称,他们在忆阻器的研制上取得了新的进展,扫清了横亘在计算机存储器微型化道路上的一些障碍,让计算机存储器可以继续朝着微型化的方向一路小跑,续写摩尔定律的同时也有望给消费电子领域带来重大革新。忆阻器:更小更强大 忆阻器又名记忆电阻,是一种被动电子元件,忆阻器被认为是电路的第四种基本元件,仅次于电阻器、电容器及电感元件。忆阻器在关掉电源后,仍能“记忆”通过的电荷。两组忆阻器能产生与晶体管相同的功能,但更为细小。20......阅读全文

美科学家开发出宽度5纳米忆阻器

  上世纪60年代,英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。然而,芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重,有人以为看到了集成电

《纳米快报》:美科学家开发出宽度5纳米忆阻器

  上世纪60年代,英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。然而,芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重,有人以为看到了集成电路技

全新忆阻器超越现有机器学习系统

  在当今“大数据”时代,现有计算机硬件架构已面临速度和高能耗的瓶颈。科技日报记者日前采访美国密西根大学电子工程与计算机系卢伟教授获悉,他带领同事研发出一种全新忆阻器(Memristor)阵列芯片,其处理图片和视频等复杂数据的速度和能效,超越了现有最先进机器学习系统。相关论文发表在最近一期《自然·纳

科学家研制具有学习能力忆阻器

一个能学习的纳米元件:比勒菲尔德大学研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中  北京时间3月5日消息,据国外媒体报道,长久以来,科学家一直梦想着造出像大脑一样的电脑。大脑比电脑更加节能,而且还会自主学习,不需要任何编程。来自比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪·托马斯博士正在做这方面

新研究厘清忆阻器工作时的内部变化

  据美国计算机世界网站5月16日报道,惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破,他们弄清楚了忆阻器在电操作期间,其内部的化学性质和结构变化,借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。   忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻,通过控制电流的变

类脑忆阻器基人工智能应用获进展

随着人工智能的发展,忆阻器因其“存算一体”的特性被越来越多的研究者探索,铁电忆阻器因其优异的极化可控、多值存储和在神经计算领域的应用潜力而受到人们的特别关注。其中,由于铁电材料的技术需求和无铅无毒的环境要求,钛酸钡(BaTiO3)成为了铁电钙钛矿氧化物铅基材料的最佳替代品之一。然而,目前大多数铁电材

物理所忆阻器的可调电致发光取得进展

  忆阻器(Memristor)是电路里继电阻、电容和电感之外的第四种基本元器件。由于其在非易失性存储、人工神经网络、混沌电路、逻辑运算及信号处理等领域的应用潜力,成为2008年后电子学器件领域内的一个重要研究对象。电致发光(Electroluminescence)通常指半导体材料中电流或电场诱导的

物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储

  随着摩尔定律的失效,基于半导体集成电路的信息技术已逐步逼近物理极限,后摩尔时代的信息技术亟待全新的范式和原理。现代计算机自问世以来一直采用冯·诺依曼结构,即运算器与存储器分离,这种结构使得运算器与存储器之间的数据传输成为影响系统性能的瓶颈(称为冯·诺依曼瓶颈),大大限制了计算机性能的提高;同时,

首款多阵列忆阻器“存算一体”系统问世

  随着摩尔定律趋近极限,通过集成电路工艺微缩的方式获得算力提升越来越难;而计算与存储在不同电路单元中完成,会造成大量数据搬运功耗增加和额外延迟。如何提高算力,突破技术瓶颈?26日,记者从清华大学获悉,该校微电子所、未来芯片技术高精尖创新中心钱鹤、吴华强教授团队,与合作者共同研发出一款基于多个忆阻器

具有实时跟踪功能的忆阻视觉传感器架构(一)

  本文介绍一个依靠忆阻器执行像素级自适应背景提取算法的成像传感器架构。内置光频转换器(L2F)的像素是图像处理的核心组件,其输出的与光强成正比的数字脉冲被施加到忆阻器后,忆阻器电阻将会发生相应变化。另外两个忆阻器用于保存动态边界,边界外的光生信号行为被认为是异常,即意外快速变化。与全CMO