第五届超快现象与太赫兹波国际研讨会举办
金秋九月，秋高气爽，由中国科学院西安光学精密机械研究所和瞬态光学与光子技术国家重点实验室联合主办，国家自然科学基金委员会、中国科学院、中国光学学会高速摄影和光子学专业委员会、信息功能材料国家重点实验室、中国科学院物理研究所、西安理工大学等单位协办的“第五届超快现象与太赫兹波国际研讨会”(ISUPTW 2010)于9月12日至16日在古城西安隆重召开。来自中国、美国、日本、德国、英国、法国、韩国、加拿大、芬兰、澳大利亚、奥地利、新加坡等12个国家的150余位专家学者出席了会议。西安光机所所长、瞬态光学与光子技术国家重点实验室主任赵卫研究员、美国 Rensselare Polytechnic Institute的X-C.Zhang(张希成)教授、美国 University of Central Florida的Zenghu Chang(常增虎)教授担任大会主席。 大会开幕式由ISUPTW 2010......阅读全文
太赫兹波与太赫兹技术
太赫兹波是指频率介于0.1~10THz之间的电磁波，其波长范围为 0.03~3 mm。太赫兹波在电磁波谱中的位置位于微波和红外辐射之间，故对其研究手段由电子学理论逐渐过渡为光子学理论。20世纪90年代以前，人们对太赫兹波的认识非常有限。近年来，随着激光技术、量子阱技术和半导体技术的发展，为太赫兹脉冲
太赫兹技术
太赫兹辐射是0.1~10THz的电磁辐射， 从频率上看， 在无线电波和光波， 毫米波和红外线之间； 从能量上看， 在电子和光子之间· 在电磁频谱上，太赫兹波段两侧的红外和微波技术已经非常成熟，但是太赫兹技术基本上还是一个空白，其原因是在此频段上，既不完全适合用光学理论来处理，也不完全适合微波的理论来
太赫兹技术突破
2016年10月28日消息，中国航天科工集团23所已获得中国首幅太赫兹波段外场SAR图像，太赫兹波段雷达成像关键技术取得突破性成果。通过首幅太赫兹波段外场SAR图像，主要技术指标和成像算法得到了试验验证，为太赫兹雷达工程应用奠定了技术基础。不过，由于高功率太赫兹辐射源发展水平的限制，太赫兹雷达系统成
激光蚀刻催生GaAS太赫兹辐射
当没有更便宜更有效的方法来批量生产太赫兹发射器（ terahertz emitters）时，激光蚀刻 不失为一个增大砷化镓（gallium arsenide：GaAs）输出的好办法。GaAs是一种常见的用于这些设备的半导体材料。 日本冲绳科学技术研究所(OIST：Okinawa Institute
太赫兹技术应用简介
太赫兹波（THz波）是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波，波长大概在0.03到3mm范围，介于微波与红外之间。一百多年前，在红外天文学上人们曾提到太赫兹，但在科研和民用方面很少有人触及。在微波、可见光、红外等技术被广泛应用的情况下，太赫兹发展滞后的主要原因在于缺少探测器和发射源，直到近十几
太赫兹技术应用简介
太赫兹波（THz波）是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波，波长大概在0.03到3mm范围，介于微波与红外之间。一百多年前，在红外天文学上人们曾提到太赫兹，但在科研和民用方面很少有人触及。在微波、可见光、红外等技术被广泛应用的情况下，太赫兹发展滞后的主要原因在于缺少探测器和发射源，直到近
太赫兹技术应用简介
太赫兹波(THz波)是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波，波长大概在0.03到3mm范围，介于微波与红外之间。一百多年前，在红外天文学上人们曾提到太赫兹，但在科研和民用方面很少有人触及。在微波、可见光、红外等技术被广泛应用的情况下，太赫兹发展滞后的主要原因在于缺少探测器和发射源，直到近十几
太赫兹雷达技术（二）
2.1.2 真空电子学太赫兹雷达太赫兹电真空器件以其高功率输出优势在太赫兹雷达系统发展中具有重要意义。最早关于真空电子学太赫兹雷达的报道是1988年马萨诸塞大学的McIntosh R E等人基于当时真空器件扩展互作用振荡器(Extended Interaction Oscillator, EIO
太赫兹雷达技术（一）
摘要：太赫兹雷达具有带宽大、分辨率高、多普勒敏感、抗干扰等独特优势，是目标探测领域的重要发展方向。该文首先回顾和介绍了电子学和光学太赫兹雷达系统历史、现状和最新进展，其次对太赫兹雷达目标特性从机理、计算、测量3个方面进行了梳理和概要介绍，同时阐述了太赫兹ISAR、SAR、阵列和孔径编码成像研究状况，
太赫兹雷达技术（三）
3.2 目标散射特性建模与计算目标散射特性建模与计算是获取目标散射特性的有效方法。太赫兹频段实际目标一般应视为粗糙表面目标，表面细微结构散射较强不可忽略，且是超电大尺寸目标，这是太赫兹频段目标散射特性建模与计算的瓶颈问题。研究太赫兹频段目标特性可采用两种技术途径：一种是由微波/毫米波向上扩展，另一种