近日,北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。
STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm的磁隧道结,器件性能良好,其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%,可实现纯电流翻转且电流密度达到国际领先水平。
在北京市科委的大力支持下,该工作完全采用了可兼容传统CMOS集成电路的工艺方法和流程,具备向产品化、产业化转移的条件,对我国存储器产业的技术突破形成了具有实际意义的推动作用。
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据加拿大阿尔伯塔大学官网近日消息,该校科学家完善相关技术,研制出了迄今储存密度最高的固态存储器,其存储能力相比目前计算机存储设备提高了1000倍。最新研究负责人、该校物理系博士研究生罗申·卡尔表示:“......