发布时间:2015-10-08 16:58 原文链接: IBM碳纳米管商用技术取得重大突破

  IBM的研究人员近期宣布,已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战,这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。

  过去几十年,半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管,从而不断加强芯片的性能。不过,这一发展很快就将遭遇物理极限。目前,IBM的研究人员表示,凭借“重要的工程突破”,碳纳米管晶体管替代硅晶体管未来将成为现实。

  碳纳米管有着良好的电特性和热特性,从理论上来说可以成为电路的基础,并带来更快的速度和更好的能效。不过,生产基于碳纳米管晶体管的商用设备面临着制造方面的多重挑战。此次,IBM的研究人员解决了其中一项挑战:如何将碳纳米管与金属触点进行连接。

  IBM的研究人员改变了1个碳纳米管和2个金属触点之间的界面。在制造碳纳米管晶体管时,传统做法是在碳纳米管上进行金属触点沉积。而目前,IBM的研究人员将金属触点置于碳纳米管的底部,通过反应形成不同的化合物。通过这种方式,IBM的研究人员证明,尺寸小于10纳米的金属触点不会影响碳纳米管的性能。(目前,硅芯片的顶级制造工艺为14纳米。)

  IBM纳米管项目研究负责人威尔弗雷德·哈恩什(Wilfried Haensch)表示,新方法的成功意味着,向碳纳米管晶体管的电流传送将不再取决于金属触点的长度。很明显,这样的晶体管能实现足够小的尺寸。IBM计划在2020年之前为碳纳米管技术做好准备,而这一突破是其中的重要一步。

  不过哈恩什承认,碳纳米管商用还存在其他技术难题,而此项工作仅仅解决了商用碳纳米管面临的三大挑战之一。另一个挑战在于,纳米管有两种形式:金属和半导体。只有半导体形式的纳米管才能被用于晶体管。因此,工程师需要更好地分离金属纳米管和半导体纳米管。另一大挑战在于开发可靠的非光刻工艺,使数十亿个纳米管准确排布在芯片上。

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