研究显示失忆期间施加电刺激有助恢复记忆

　　宾夕法尼亚大学的研究小组首次证明，不同时机施加电刺激对人类大脑的记忆功能有不同的作用，记忆失效期施加电刺激有助于恢复记忆，而同样的电刺激，施加于记忆有效期则起到相反的作用。该研究成果发表于近期出版的《当代生物学》杂志上。

　　恢复记忆是美国国防高级研究计划局（DARPA）为期四年的研究项目，旨在开发新技术，以改善记忆丧失患者的记忆功能。新研究表明，在适当时机对脑部施加刺激，才能取得较好的治疗效果，在记忆恢复研究上迈出了重要的一步。

　　研究人员将电极植入到患者脑中，测量大脑各部位的电信号，记录大脑在形成记忆或记忆失败时的不同活动模式，并利用机器学习来解密记忆强弱的电信号，进而识别出大脑有效记忆和无效记忆的神经活动模式。

　　利用该模式，研究人员要求受试者在接受安全范围的脑刺激时，学习和回忆常用单词表，来测量在有效记忆期和无效记忆期，电刺激对记忆功能的影响。结果发现，在有效记忆期施加电刺激，记忆变坏。

　　在无效记忆期施加电刺激，记忆会得到显著提高。研究人员认为，人类大脑与交通有相似之处，而电刺激可以起到类似恢复交通正常秩序的作用。

　　研究人员表示，深刻理解大脑的这一过程，可提高多种类型患者，尤其是那些创伤性脑损伤或阿尔茨海默氏症等神经系统疾病患者的生活质量。

　　根据不同类型来施加刺激的技术，在恢复记忆功能方面具有十分重要的意义，但从概念验证到实际治疗仍需进行更多的研究。