3、晶闸管的伏安特性和主要参数
3．1、晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性，如图2所所示。正向特性位于第一象限，反向特性位于第三象限。
图2 晶闸管伏安特性参数示意图
（1） 反向特性
当门极G开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，同时J3结也击穿，电流迅速增加，如图2的特性曲线OR段开始弯曲，弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后，晶闸管会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压
图4 阳极加正向电压
（2） 正向特性
当门极G开路，阳极A加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，如图2的特性曲线OA段开始弯曲，弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子进入N1区，空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
（3） 触发导通
在门极G上加入正向电压时（如图5所示），因J3正偏，P2区的空穴进入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用（如图2）的基础上，加上IGT的作用，使晶闸管提前导通，导致图2中的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
图5 阳极和门极均加正向电压
3．2、晶闸管的主要参数
（1）断态重复峰值电压UDRM
门极开路，重复率为每秒50次，每次持续时间不大于10ms的断态最大脉冲电压，UDRM＝90％UDSM，UDSM为断态不重复峰值电压。UDSM应比UBO小，所留的裕量由生产厂家决定。
（2）反向重复峰值电压URRM
其定义同UDRM相似，URRM＝90％URSM，URSM为反向不重复峰值电压。
（3）额定电压
选UDRM和URRM中较小的值作为额定电压，选用时额定电压应为正常工作峰值电压的2～3倍，应能承受经常出现的过电压。
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