林媛教授来半导体所进行学术交流

　　交流现场

　　应半导体研究所集成技术中心主任王志明研究员的邀请，11月22日下午，成都电子科技大学的长江学者林媛教授来半导体所进行学术交流，并作了题为“高分子辅助沉积法制备氧化物薄膜材料“的学术报告。

　　林媛教授系统地介绍了近年来发展起来的一种化学溶液沉积法—高分子辅助沉积法。该方法具有设备简单、成本低廉、可控性和溶液稳定性较好等优点。林教授对这种薄膜沉积方法在氧化物薄膜材料制备中的应用进行了精辟的阐述，重点介绍了在金属镍基底上氧化物薄膜BaTiO3的生长及多价态金属氧化物VOx的制备和价态控制，发表了自己独到的见解，并与在座的20余名老师和研究生进行了热烈的讨论和交流，使大家受益匪浅。

　　林媛教授于1999年在中国科学技术大学获得博士学位，其后分别在中科院物理所、美国休斯顿大学、美国Los Alamos国家实验室从事博士后研究，2006年-2008年在美国Intel公司封装测试技术研发中心任高级工程师。2008年入选教育部第九批长江学者特聘教授，回国到电子科大工作。林媛博士的研究领域是电子薄膜材料的制备及其应用。近十年在Nature Materials、Advanced Materials、Angewandte Chemie Inter. Ed.、Appl. Phys. Lett等刊物上发表学术论文60余篇，SCI他引700余次；已授权中国发明ZL3项，美国发明ZL3项。