上海深紫外自由电子激光装置(SDUV-FEL)经过多年的技术积累和艰苦努力,于2010年12月中旬在HGHG模式下成功达到饱和,这是继2009年SDUV-FEL测得SASE,2010年夏季实现外种子自由电子激光(包含HGHG和echo)调制实验以后又一重大进展。它使我国成为继美国之后世界上第二个实现HGHG自由电子激光放大与饱和的国家,标志着我国在自由电子激光实验研究方面已经步入世界先进行列。
上海深紫外自由电子激光(HGHG模式)成功达到饱和,表明我国已经基本掌握了短波长外种子型自由电子激光的主要关键技术,为我国未来的X射线自由电子激光大科学装置的发展奠定了基础。

上海深紫外自由电子激光装置总长65米

高增益谐波产生实验FEL光斑

自由电子激光增益曲线

HGHG与SASE光谱比较
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