近日，复旦大学公开了2022年8月政府采购意向，本次预算总金额超3500万元，采购内容包括原子层薄膜气相沉积系统、超高空间分辨电子束诱导电流谱、高分辨晶体衍射仪、傅立叶红外光谱仪、红外探测器高精度测试表征系统、II-VI族化合物半导体分子束外延系统等仪器设备。
| 采购项目名称 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) |
| II-VI族化合物半导体分子束外延系统 | A02052402真空应用设备 | 分子束外延（MBE）系统包含外延Ⅱ-Ⅵ材料生长的衬底处理，生长过程的控制和后道工艺。进样室和过渡室的极限真空度可以达到10-10Torr，生长室极限真空能到10-11 Torr；最大可容纳4英寸衬底；预除气可达800℃；在MBE装置中可附有四极质谱仪、电离计(束流规)高能电子衍射(RHEED)、原位椭偏仪等，可以随时监控外延层的成份和结构的完整性。 | 1280 |
| 液氮真空管路系统 | A02052402真空应用设备 | 从大型液氮贮槽到室内分子束外延系统的真空液氮管道系统，包含氮气管道。 | 240 |
| 原子层薄膜气相沉积系统 | A02052402真空应用设备 | 原子层沉积设备主要用于沉积出薄膜材料，满足沉积Al2O3、HfO2、ZrO2等薄膜材料的需要。 | 175 |
| 钝化层专用低温反应离子刻蚀机 | A032103电子工业专用生产设备 | 主要用于刻蚀氧化物、半导体、金属等。ICP源功率：0 - 3000 W；RIE源功率：0 - 600 W；基底温度：-120oC - 80oC 可调；刻蚀均匀性：±5% （ 4英寸 ）；装片：一片4英寸，向下兼容任意规格样品；刻蚀气体：BCl3，HBr，SF6，CF4，C4F8，CHF3，Ar，O2 | 400 |
| 宽谱光电探测低频噪声分析系统 | A02110204半导体器件参数测量仪 | 最大频率: 44 GHz ,配有混频器时可达到 1.1 THz;最大分析带宽达到1 GHz； DANL:174dB；相位噪声：135dBc/Hz;最大实时带宽:510 MHz | 140 |
| 超高空间分辨电子束诱导电流谱 | A02110203电子元件参数测量仪 | 系统包括扫描电镜、纳米机械手及控制模块。扫描电镜参数：电子枪：高稳定度肖特基场发射电子枪；电子束流：1 pA ～ 50 nA连续可调；高真空模式分辨率优于0.5nm；放大倍率达到1000000倍。 | 300 |
| 高分辨晶体衍射仪 | A02100402物理特性分析仪器及校准仪器 | X射线发生器最大输出功率：≥9kW；管电压：≥20-45kV；管电流：≥10-200mA；X射线防护标准：≤1μSievert/h(10cm)。 | 240 |
| 傅立叶红外光谱仪 | A02100304光学测试仪器 | 提供从紫外/可见光（50000 cm-1） 到远红外/太赫兹（5 cm-1）的广泛光谱范围、极高的光谱和时间分辨率；优于 0.2cm-1的标点光谱分辨率，具有两个可选的外接检测器端口可安装辐射热测量计和/或热电子检测器的液氦杜瓦。 | 205 |
| 红外探测器高精度测试表征系统 | A02100304光学测试仪器 | 能够实现多种红外探测器的器件级测试，单色仪光谱范围可定制，最大可扩展到0.4-20μm，波长覆盖短、中、长波，规模覆盖点源、线列和面阵。系统噪声＜100μV。包含高精度差分黑体，分辨率0.001℃。 | 200 |
| 高精度光刻机 | A032103电子工业专用生产设备 | 紫外光波长：350nm～450nm; 光强均匀性：2% ; 正面套准精度：0.2 μm; 基片尺寸：支持6英寸以下.用于微纳器件加工中曝光微米级结构图型。 | 330 |
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