极面约0.2特斯拉的磁铁如NS相吸放置，离子束通过的中，位置具有较大的场强，由此引起离子束的质量歧视效应（在到选出口缝前由于电子束聚焦磁铁的影响，离子束已按质荷比偏离，因而输出的离子流与质量有关）。
在性能要求很严的离子源中，在设计和装配时应充分考虑这一位移量和出射角的变化，用机械方法纠正。有的离子源为了解决这一向题，通常把引出电极（甚至聚焦电极、偏转电极等）的左右两半部加以绝缘，并加上相对可调的电位，提高离子束的引出效率和聚焦性能，使离子束准直地通过出口孔。
但是在小型四极质谱计中，为使离子源结构简单、可靠，通常都不采取上述措施。磁场对增加电子束对气体的电离几率是有效的，增加了引出束流，但磁场对离子束的偏转却改变了引出束流的出射位置和出射角，这样反而减小了引出束流，尤其是出射角的偏斜使后果最为严重。
在离子源后80mm处安装平板检测离子流的方法对于0.2mm的位移量和偏离轴线的偏转角反应不会十分敏感，因而未出现异常。而在离子源后加一个性能不十分好的长163mm的四极杆后，实际通道比前者大为减小，不仅把不适合四授杆的大部分离子流滤掉，而且由于位移和出射角的变化又增加了部分损失，这部分流强在不加磁场时可以通过四极杆，因此检测到的流强很弱甚至检测不到。