等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。
将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。
等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下：
热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。
同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。
此电势差可以用简单的微伏表测量。
热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁