利用俄歇电子能谱仪研究Al焊垫表面的F腐蚀

Al焊垫的质量关系着半导体器件及封装的质量和可靠性。多项研究表明Al焊垫表面的沾污增强了Al焊垫腐蚀的可能性,特别是焊垫表面刻蚀后残留的F元素,极容易在焊垫表面引起各种类型得腐蚀。应用俄歇电子能谱仪,研究了两种发生在焊垫表面的腐蚀现象,结合其他失效分析手段,分析了Al焊垫表面的F腐蚀的成因。研究结果表明,被腐蚀的Al焊垫表面F元素的相对含量较高,腐蚀缺陷所在区域的氧化层大为加厚,将直接影响到后期封装过程中Al和相应封装材料的金属键合,造成潜在的芯片失效。