发布时间:2021-02-04 14:05 原文链接: 利用钨氧化物中的氧空位控制电子空穴迁移路径

  Angew. Chem. Int. Ed.:利用钨氧化物中的氧空位控制电子空穴迁移路径,以提高其光催化析氧性能

  全解水效率主要受到缓慢的析氧动力学的限制。因此,开发活性析氧催化剂是十分必要的。为此,作者设计合成了一种含氧空位的氧化钨光催化析氧催化剂,其析氧速率为683

  µmol h-1g-1,高于纯WO3(159

  µmol h-1g-1)。随后通过瞬态吸收光谱研究发现,氧空位能产生电子俘获态,抑制光生载流子的直接复合。另外,Pt助催化剂可以促进电子俘获态参与反应,进一步提高光催化性能。利用飞秒瞬态吸收光谱解释了无机材料的光催化析氧机理,为高效水分解催化剂的设计提供了新的思路。


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