发布时间:2013-01-18 15:05 原文链接: 半导体所在单晶硅太阳电池研究中获得突破

     由中科院半导体所韩培德研究员领导的光伏能源组,在国家纵向经费和自筹经费的支持下,瞄准光伏企业需求,经过多年苦战,综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点,在单晶硅衬底上研发出效率高达20.0%的太阳电池(短路电流密度JSC=43.9mA/cm2,开路电压VOC=602mV,填充因子FF=0.758),并经中国计量科学研究院认证。

  在中国特色的光伏运动推动下,单晶硅/多晶硅太阳电池将以第一代电池身份(今年年底)跨入Martin A.Green说描述的第三代电池范畴(即光电转换效率≥20%,电力成本≤$0.5/W,制造成本≤$100/m2),单晶硅/多晶硅太阳电池在光伏能源中的主导地位将长期不变。正因如此,提高单晶硅电池效率、形成自主知识产权、引领光伏企业向前发展更具有重要的战略意义。

  针对当前光伏低谷的产业形势,课题组提出了“提效率、重检测、降成本、促应用” 十二字方针,以此作为该组日常工作指南,努力走一条与企业需要相结合的研发道路。下一步将继续提高电池效率,同时对现有技术进行中试,并在产线上加以推广和应用。

   

   

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