半导体所在柔性电子学研究中取得系列成果

　　近年来，基于柔性衬底的柔性电子学受到了全球范围越来越广泛的关注，其在柔性显示、电子皮肤、传感器、可再生能源等诸多领域都有着潜在的应用前景。而低维无机半导体纳米材料的特殊形貌、优异的电学/光学性能、良好的机械柔韧性等特点，使其成为了柔性电子学领域的一类非常优异的材料体系。

　　近年来，在国家自然科学基金（项目号51002059，91123008，61377033）的持续资助下，中国科学院半导体研究所沈国震课题组通过设计多种结构和功能的无机半导体低维纳米结构，结合传统的微电子加工工艺，设计了多种结构和形式的柔性电子、柔性光电子器件，如柔性薄膜晶体管、光电探测器、传感器等，在柔性电子学领域取得了较为突出的研究成果。相关工作多次发表在Angew. Chem. Int. Ed. (2014, 53, 1849)； Adv. Mater. (2014, 26, 4999； 2011, 23, 771.)； ACS Nano (2014, 8, 787.； 2011, 5, 6148.； 2011, 5, 2155.)； Adv. Funct. Mater. (2014, 24, 1840.； 2013, 23, 1202.； 2013, 23, 2681.)等国际期刊上。

　　要实现电子器件系统的全柔性化，其储能单元的柔性化是必不可少的一步。沈国震课题组较早开展了柔性储能器件的研究工作，设计并研制了具有超薄、高柔性的柔性储能器件，并且成功地实现了柔性储能单元和柔性电子、光电子器件的集成系统。相关工作多次在Nano Lett. (2012, 12, 3005.)； Adv. Mater. (2014, 26, 4763.； 2013, 25, 1479.)； ACS Nano (2013, 7, 5453.； 2011, 5, 8412.)等国际刊物发表。其中多篇论文并被收录为封面论文。13篇研究成果入选ESI全球高被引论文。

　　由于在柔性电子学领域的突出贡献，沈国震先后被Chem. Soc. Rev. (2015, 44, 161), Adv. Mater. (2014, 26, 4763)，Mater. Today (2015, DOI: 10.1016/j.mattod.2015.01.002)等国际期刊邀请撰写相关研究综述。2014年8月在美国萨凡纳召开的第十八届国际超晶格、纳米结构与纳米器件大会上，经过国际专家委员会的推荐，沈国震被授予“青年科学家奖”。该奖项旨在奖励年龄40岁以下的青年科技人员，每两年颁发一次。此次是该奖项首次授予来自中国的年轻科研人员。