发布时间:2008-10-14 13:07 原文链接: 半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究

摘 要 本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC
SI-GaAs)中本征缺陷的影响。实验结果表明,晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的
密度与分布。500℃热处理对As 沉淀的密度无明显影响;真空条件下,在850~930℃范围内热处理AB 腐蚀坑变浅,砷沉淀数量增加;真空条件下,高于1100℃热处理后,砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化,本文对其机理进行探讨。
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