原子发射光谱（ICP／AES）理论知识（3）——自吸自蚀

　　原子发射光谱（ICP/AES）理论知识（3）——自吸自蚀

　　谱线的自吸和自蚀

　　等离子体：以气态形式存在的包含分子、离子、电子等粒子的整体电中性集合体。等离子体内温度和原子浓度的分布不均匀，中间的温度、激发态原子浓度高，边缘反之。宏观上是中性的电离的气体，称为等离子体。

　　自吸:由弧焰中心发射出来的辐射光，被外围的基态原子所吸收，从而降低了谱线的强度。此现象叫自吸。

　　 I = I0e-ad

　　 I0为弧焰中心发射的谱线强度，a为吸收系数，d为弧层厚度。

　　自蚀：元素浓度低时，不出现自吸。随浓度增加，自吸严重时，中心部分的谱线 将被吸收很多，从而使原来的一条谱线分裂成两条谱线，这个现象叫自蚀 。

　　在谱线上，常用r表示自吸，R表示自蚀。在共振线上，自吸严重时谱线变宽， 称为共振变宽

　　对于自吸和自蚀可用下图表示：

　　发射光谱分析的特点：

　　1．相当高的灵敏度。

　　 2．有较好的选择性。

　　3．准确度较高。

　　4．能同时测定多种元素，分析速度快。

　　5．用样量少。