国产55纳米相变存储芯片

　　11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。

　　目前静态随机存储技术、动态随机存储技术和快闪存储技术应用最为广泛。近几年才逐渐步入商品化的最新一代存储技术——相变存储技术，由于是利用材料相变产生不同的特性作资料存储，存储容量远远大于目前的高端硬盘。与现有传统芯片相比，相变存储器执行速度快1000倍，耐久性多1万倍。与快闪存储一样，相变存储是非挥发性的，但比快闪存储更耐用，通常快闪存储持续约为10万次读/写，而相变存储的耐用性数千至百万倍于闪存，其编程速度也比闪存具有数量级的优势，因此，这一新技术被认为会带来一个颠覆性的存储新时代。

　　实际上，相变存储技术的研发历史已经有30多年，但是直到最近几年，由于快速结晶材料的发现才开始迈入商业化阶段。第一批商业化的相变存储产品预计在今年内推出，而其主流产品，如替代传统硬盘的固态硬盘将于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等国外厂商拥有商品化的相变存储产品，而宁波时代全芯公司自主研发的55纳米相变存储芯片让我国首次闯入了以前由外国厂商垄断的相变存储市场。

　　据了解，宁波时代全芯公司相变存储技术拥有完全自主知识产权，已申请ZL57项，正在申请的ZL有141项。其研发团队由美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平等专家组成。