多晶碲化镉合成方法介绍

碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。

用纯度为99.9999%的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封Chemicalbook石英管。

然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶碲化镉合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。

当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。