微波振荡器的分类（二）

场效应管微波振荡源

随着微波场效应晶体管的发展，场效应管微波振荡源是发展进步最快的领域之一。场效应管的使用频率不断提高，器件内部反馈小，有利于外电路藕合反馈，射频功率对直流的转换效率高。普遍用它来构成性能优良的小型微波振荡器，据近年来的报道，发展比较突出的有如下几方面。

（1）场效应管、微带线、介质谐振器混合集成的固态DRO：电路形式丰富多彩，有反馈 型、反射型、开关型、多频型、偏码输出型、推挤输出型等。振荡频率越来越高，已扩展到50GHz以上，输出功率随频率的升高而变化的情况如图4所示。

一般情况下，有一级缓冲放大器，最大功率输出不到1瓦。当需几瓦功率时，后面可加功率放大器或功率合成器，构成需要的微波功率源。图中示出的带有缓冲级的GaAs FET-DRO的振荡频率向高端有一定的扩展。通常，此类微波振荡源在宽温度范围内，都有较高的频率稳定性，在-5~85 ℃范围，能达到±50~100ppm。相位噪声性能良好，例如一个采用双管P-P DRO的振荡频率在34GHz时，100kHz的偏移下，相位噪声为-100dBc/Hz；18GHz时，相位噪声为-130dBc/Hz。由于其性能优良而得到广泛应用，成为目前微波集成振荡器的主流。

（2）压控介质微波源VC DRO：应用于窄带调制通信系统、调频雷达系统、锁相环路系统的VC DRO有了很大的进步。比微带线压控振荡源的性能有较大的提高，仅就频率稳定性而言，提高了两个数量级（达±5×10-5），与DRO的各项指标相差无几。通常，要有窄带电调带宽，大约在0.1%~1.0%带宽范围。最常用的电调方法是变容管电调法。近年来，更为简便适用的调栅法也发展起来，调谐频带宽度虽然不如变容管的宽，但其他主要性能如稳定度，相位噪声等均比变容管的要好些，电路形式也简单，避免了不少麻烦 。

（3）带状线谐振器FET VCO：上述的FET VCDRO性能指标高，多用于军民用精密设备上，但成本、价格都比较高。在诸多因素的促使下，三极管微封装VCO及MIC VCO也蓬勃发展起来。虽然其主要性能不如VC DRO，但其优势在于尺寸超小（6x8mm2）电调范围宽、CAD温度补偿电路、系列化大规模生产、 成本低价格便宜。在日本的数字无绳电话（DCT）系统，欧洲数字无线电话（DECT）系列、个人通信网络（PCN）、卫星通信终端设备（SCTE）上均被大量采用，很快就风靡世界。由于它适应了市场的需要，浩瀚的世界民用市场为微封装VCO的发展提供了强大的动力，使其原本不高的电性能也不断进步，不断完善。