扫描电镜SEM／能谱仪EDS／WDS之定量分析ZAF修正

       所有固体样品定量分析的方法都是利用一个已知成分的标样，在多数情况下，（尤其金属）纯元素是适用的。无论是样品还是标样，都是在相同的试验条件下检测的。测出的相对强度比k，必需很精确，否则任何定量分析方法均会造成相同的误差。
假设k已经精确获得。由于存在几种效应，必需对他们进行修正，
1、原子序数效应，用因子 Zi 表示，它反映了样品和标样对电子的散射和阻滞不同；

2、样品内的X射线吸收效应Ai
3、荧光效应 Fi和在几种特殊情况时的连续谱荧光。

Ci=(ZAF)i ki
Ci---感兴趣元素的重量百分比。这个方法通常称为 ZAF法。

Ai--吸收因子：由于入射电子束激发的X射线产生于样品中的某个深度，所以这些x射线必需在样品中穿行各自的路程才能到达探测器。在这段路程上，某些X射线由于与样品中的各种元素的原子相互作用而受到吸收，因此最后到达探测器的X射线辐射强度降低了。
吸收修正因子
f（x）=I‘/I
I--在没有被吸收时的总的X射线强度。
I'--产生的X射线被吸收后的实际强度
Ai=f（x）std/f（x）spec
f（x）std--标准样品的标准吸收项
f（x）spec---样品的标准吸收项。
Ai---吸收因子

任何元素i的吸收修正因子，与他的质量吸收系数、X射线检出角度、加速电压Eo、元素i的KLM辐射的临界激发电压、样品的平均原子序数、平均原子量有关。

实际应用：
1、输入参数的不准确会造成严重的分析误差。输入参数（质量吸收系数，探测信号取出角度，加速电压。
2、为了减少这些误差的影响，吸收因子硬挨大于或者等于0.7？
3、为了使得吸收影响最小，应该在低的过压比和高的检出角度下检测样品。
4、为了改善分析精度，特别是低原子序数的元素或者能量小于等于1kev的x射线，需要更精确的用实验测定质量衰减系数和f(X)的函数。
如果样品平整光滑，定量分析最主要考虑的是背底修正和准确的x射线检出角。
检出角的误差主要影响吸收修正计算：计算误差随着检出角度的减小而增大。一般检出角度必须超过30°。
在多数的定量分析中，最重要的考虑是吸收因子 Ai，显然合理的选择扫描电镜的工作条件和质量吸收系数小的X射线（过压比小的X射线线系，从K-L-M，过压比逐渐增大？）有助于减小必要的修正。

原子序数因子Z：
所谓的原子序数效应：背散射电子和电子衰减。他们都与靶中的平均原子序数有关。如果样品和标样的平均原子序数不同，必需进行原子序数修正。
 

酷塞
公式中，Ri和Ri'分别为标样和样品的背散射修正因子。

Ri=样品中实际产生的总光子数 / 没有背散射时产生的总光子数

Q--电离截面。
S--为电子在  l<E<50KV范围内的阻止本领。
影响原子序数因子的主要变量是样品和标样的平均原子序数差。
特征荧光修正因子F：
如果样品中元素j的特征x射线谱峰能量E，大于元素i的Ec，那么在进行元素i的修正过程中必需考虑附加荧光。由于元素j的x射线有足够的能量二次激发元素i的X射线，所以必须做荧光修正。这样元素i产生的X射线高于只由电子激发产生的量。但是当（E-Ec）大于5kev时，该修正可以忽略。

ZAF方法通常作为从相对测量强度数据获得定量结果的手段，这个方法适用于各种样品。但是该方法不适于应用小于1kev的x射线谱线进行分析，主要因为对某些必要的输入参数，和他们修正模型的近似值认识不足。为此利用低能x射线谱线分析不如高能x射线谱线分析的精度好。

Scanning Electron Microscopy and X-ray microanalysis（J.I.Goldstein etc.)