利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度两者的方法。
另外通过测量变温条件下氮化铟的发光特性，可研究发光峰位以及发光强度随温度的变化关系，发现光致发光强度随温度的升高逐渐降低，发光峰位随温度的升高只是红移，并没有出现“S”形的非单调变化，这种差异可能是由于光致发光谱的半高宽过高导致，同时也可能与载流子浓度以及内建电场强度有关。