发布时间:2024-06-11 09:40 原文链接: 清华大学仪器共享平台金盛微纳全自动磁控溅射系统

仪器名称:全自动磁控溅射系统
仪器编号:12024341
产地:中国
生产厂家:金盛微纳科技有限公司
型号:MSP-150B
出厂日期:201112
购置日期:201211


所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺
放置地点:微电子所新所一层微纳平台
固定电话:
固定手机:
固定email:
联系人:刘建设(,,zhaoting@tsinghua.edu.cn)
窦维治(010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn)
分类标签:微纳加工 半导体工艺 集成电路 磁控溅射
技术指标:

SiO2薄膜溅射;工艺温度﹤200℃

知名用户:王喆垚(微电子所)、陈兢(北京大学)、何立平(中科院物理所)、严清峰(化学系)、许军(微电子所)、尤政(精仪系) 朱荣(精仪系)、张志勇(北京大学)、金传洪(浙江大学)
技术团队:

设备工程师:林宏

设备主管:刘建设

项目主管:陈炜

功能特色:

可低温(T﹤200℃)溅射SiO2膜,满足平面器件工艺,特别适合正胶剥离的样品。常规溅射SiO2膜温度高,无法满足低温平面工艺要求,此溅射系统溅射SiO2薄膜的平整度、表面粗糙度比常规高温、中温溅射的质量好,均匀性好,能满足低温溅射二氧化硅膜的工艺条件。

样品要求:

设备使用硅片尺寸为4英寸以下硅片及小于4英寸以下不规则硅片。


预约说明:

实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则

取消预约需提前2个小时通过网上取消预约

项目名称计价单位费用类别价格备注
氧化硅溅射元/小时自主上机机时费350.01μm以下