发布时间:2024-06-11 09:40 原文链接: 清华大学仪器共享平台DRYTEK去胶设备(等离子光刻)

仪器名称:去胶设备(等离子光刻)
仪器编号:90175600
产地:美国
生产厂家:DRYTEK
型号:MS-5
出厂日期:199002
购置日期:199003


所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺
放置地点:微电子所新所一层微纳平台
固定电话:
固定手机:
固定email:
联系人:李希有(010-62784044,13641166426,lxyou@mail.tsinghua.edu.cn)
分类标签:集成电路 微纳加工 半导体工艺 刻蚀 等离子
技术指标:

PLASMA去胶

知名用户:王喆垚、任天令、刘泽文、吴华强、梁仁荣、潘立阳、王敬、许军、邓宁、钱鹤、伍晓明(微电子所) 尤政、朱荣、阮勇(精仪系)、罗毅(电子系)、姚文清(化学系)
技术团队:

吴华强、伍晓明、刘朋、李希有、仲涛

功能特色:

刻蚀方式: PLASMA模式 主要刻蚀介质:正胶、负胶等.  刻蚀尺寸:4英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。

样品要求:

单片式;硅片尺寸:4英寸及以下


预约说明:

实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则

取消预约需提前2个小时通过网上取消预约;

项目名称计价单位费用类别价格备注
送样去胶元/小时自主上机机时费300.0
送样刻蚀元/小时测试费300.0


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