常用于测定高纯材料中痕量杂质，对分析99.999～99.9999%纯度材料，效果好，测定下限可达μg至ng级。此法须先用液-液萃取、挥发、离子交换等技术分离主体，富集杂质，再对溶液干渣用高压电火花或交流电弧光源进行光谱测定；或在分离主体后，把溶液浓缩到2～5ml，用高频电感耦合等离子体作光源进行光谱测定。
