“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收

　　12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题组长、上海微系统所所长助理宋志棠研究员，以及课题组主要成员共计20余人参加了此次会议。

　　会议由验收专家组组长潘峰主持。会上，项目负责人宋志棠研究员向与会领导、专家汇报了课题完成情况。验收专家组在认真审查相关技术文件和资料、全面听取课题负责人汇报并进行质询、观摩由项目团队自主研制的8Mb相变存储器试验芯片音频演示系统的基础上，对课题完成情况给予了高度评价。认为课题组围绕课题任务书规定的预期目标，开展了大量研究工作，获得了一大批重要科研成果，包括筛选出具有自主知识产权的SiSbTe新型相变材料并进入工程化验证，建立了8英寸相变存储器专用平台，实现与标准180-130nm CMOS工艺无缝对接，在该平台上研制出全功能8Mb PCRAM芯片，芯片成品率达到99%以上。

　　经认真讨论，验收专家组一致认为该课题圆满完成了合同任务书规定的任务目标与考核指标，同意课题通过验收。验收会开始前，参加验收会的专家领导还现场考察了12英寸相变存储器工艺平台。