科学家利用新的制造技术得到纳米紫外LED

    美国国家标准技术局（NIST）的科学家通过和Maryland大学及Howard大学合作，发明了一种制造微小、高效率发光二极管（LED）的技术。
　　
    该LED发出的是紫外光，这对于很多纳米技术包括数据存储都非常重要。而且装配过程也非常适于将来投入商业化生产。
　　
    这些纳米级别的设备对于下一代高密度低成本科技（包括传感器和光通信等）而言是不可缺少的。而紫外LED对于数据存储和生物传感非常关键。由氮化铝、氮化镓、氮化铟等半导体构成的纳米线是制造这种LED的理想材料，但是NIST科学家Abhishek Motayed说：“目前LED使用的是单个制造技术，非常不适于推广到商业化生产。”
　　
    因此NIST小组使用了批量生产技术，例如湿蚀刻、金属沉积等。并且小组利用了电场来排列纳米线，以消除逐个分离它们的这一精密又耗时的任务。
　　
    新型LED的最大特点是：它们由单一成分氮化镓构成。每个LED包含p型氮化镓薄膜和其上的n型纳米线。因此，由相同成分形成的p-n结相比成分不同的拥有更高的效率，而且耗电量更低。
　　
    当在p-n结上施加了合适的电压时，它就会发出峰值为365纳米的光，其发光范围属于紫外区域。小组制造并测试了超过40个这种LED，每个都显示出相似的发光性能。同时新型LED还拥有良好的热稳定性，在室温下连续运作2小时效率也没有下降。科学家们表示，他们的这一技术还能用于制造其它的纳米结构。