等离子体清洗机在堆积工艺中的运用

等离子体清洗机在堆积工艺中的运用由以下四个进程组成。
（1）电子和反响气体发作电子碰撞反响，生成离子和自由基；
（2）活性组分从等离子体传输到基底外表；
（3）活性组分经过吸附作用或物化反响堆积到基底外表；
（4）活性组分或反响产品成为堆积薄膜的组成部分。
在高密度等离子体化学气相堆积工艺中，堆积和刻蚀进程往往同时发作。该工艺中的三种首要机理为：等离子体离子辅佐堆积、氩离子溅射以及溅射资料的再堆积。在 高密度等离子体化学气相堆积（HDP CVD）工艺中，高密度等离子体源（如感应耦合等离子体（ICP）、电子回旋共振等离子体（ECR）或螺旋波等离子体（helicon））对包含硅烷、氧气和氩气的混合气体进行激起。经过将基底作为阴极，可将等离子体中的高能正离子招引至晶体外表，随后氧与硅烷发作反响生成氧硅烷，在由氩离子溅射进程除去氧硅烷。
在半导体制作中一般选用两种印刷线路制版技能，这两种技能彼此具有互补性。其间一种技能是将电介质印刷到金属外表，另一种技能则是将金属镶嵌在介质板上。前者即为离子刻蚀（RIE）制版技能，其操作进程如下：
（1）在晶片外表堆积一层厚度均匀的金属层；
（2）然后再外表均匀地涂一层光敏性聚合物——光刻胶；
（3）经过光学手段将电路图案透射至光刻外表，从而改变其溶解性；
（4）选用反响性刻蚀剂将易溶解部分去除，构成一层掩模层；
（5）等离子清洗机能将未被掩模层保护的金属刻蚀去除；
（6）经过等离子体清洗机去胶，将光刻胶剥除；
（7）堆积二氧化硅或氮化硅，钝化外表。
第二种制版技能，即镶嵌技能的灵感源自于历史悠久的首饰镶嵌工艺，或称大马士革工艺。这种技能需求先在平面电介质层上刻蚀出纵横分布的沟槽，然后选用金属堆积工艺将沟槽内填充金属，从而在一个平面上镶嵌入所需电路。在堆积一层绝缘层后，即可重复进行下一层金属薄膜的镶嵌。