臭名昭著的MOS管米勒效应（二）

那在米勒平台究竟发生了一些什么？

以NMOS管来说，在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。

所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。

我们以下右图来分析米勒效应，这个电路图是一个什么情况？

MOS管D极负载是电感加续流二极管，工作模式和DC－DC BUCK一样，MOS管导通时，VDD对电感L进行充电，因为MOS管导通时间极短，可以近似电感为一个恒流源，在MOS管关闭时，续流二极管给电感L提供一个泄放路径，形成续流。

MOS管的开启可以分为4个阶段。

t0～t1阶段

从t0开始，G极给电容Cgs充电，Vgs从0V上升到Vgs（th）时，MOS管都处于截止状态，Vds保持不变，Id为零。

t1～t2阶段

从t1后，Vgs大于MOS管开启电压Vgs（th），MOS管开始导通，Id电流上升，此时的等效电路图如下所示，在IDS电流没有达到电感电流时，一部分电流会流过二极管，二极管DF仍是导通状态，二极管的两端处于一个钳位状态，这个时候Vds电压几乎不变，只有一个很小的下降（杂散电感的影响）。

t1～t2阶段等效电路

t2～t3阶段

随着Vgs电压的上升，IDS电流和电感电流一样时，MOS管D极电压不再被二极管DF钳位，DF处于反向截止状态，所以Vds开始下降，这时候G极的驱动电流转移给Cgd充电，Vgs出现了米勒平台，Vgs电压维持不变，Vds逐渐下降至导通压降VF。

t2～t3阶段等效电路

t3～t4阶段

当米勒电容Cgd充满电时，Vgs电压继续上升，直至MOS管完全导通。

结合MOS管输出曲线，总结一下MOS管的导通过程

t0～t1，MOS管处于截止区；t1后，Vgs超过MOS管开启电压，随着Vgs的增大，ID增大，当ID上升到和电感电流一样时，续流二极管反向截止，t2～t3时间段，Vgs进入米勒平台期，这个时候D极电压不再被续流二极管钳位，MOS的夹断区变小，t3后进入线性电阻区，Vgs则继续上升，Vds逐渐减小，直至MOS管完全导通。

MOS管输出曲线