前面已介绍，倒装片流入的平均电流值大致为10＾4A／cm2。由此可知，缺陷的形成集中在电流密度高的部分。这里作为化合物的生长的例子，如图6所示。Cu配线电流密度高的左侧部分几乎消失，而其化合物的生长却很显著。
图6 Pb3Sn的倒装片接续部生成的电子迁移 （2．55×10＾4A／cm2，155℃）
倒装片接续部空隙的形成如图7所示。由于电流密度高的部分Sn扩散在晶格中形成空穴，这些空隙的成长首先在球的一侧开始，然后沿着电极界面向横的方向进行扩展，如图8所示。这时电流的流动路线也跟着转移，电流全集中在右侧流过。就时间来说，在37h之前空洞的发生不是非常明显的。然而在其之后空隙便急速发展，仅数小时便可波及接续面的全部。
图7 SnPb接续部在125℃时空隙的生长（2．25×104A／cm2）（a）37h，（b）38h，（c）43h
图8 倒装片电子扩散时空隙的生长机理