开关过程引起的过渡损耗。
过渡损耗是由过渡瞬变过程的时间来确定，它取决于晶体管电流或电压的上升和下降时间及基极和集电极的电荷存储效应。在晶体管电流或电压上升和下降时间内，晶体管处于有源状态，要消耗一定功率。此外接通延迟时间td（由晶体管基极电容和其他电路电容的充电时间决定）和晶体管开关从饱和进入有源状态时，从基区和集电极抽出过量电荷的存储时间ts也要增大过渡损耗。延迟时间td和存储时间ts，不仅延长晶体管的开关过渡过程，而且要产生电流和电压瞬变，会使晶体管由于二次击穿或雪崩效应而损坏。
