HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14.5%（4mm2的电池），后来在三洋公司的不断改进下，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25.6%。2015年三洋的HITZL保护结束，技术壁垒消除，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。
下图是HIT太阳能电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面侧的i-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。