北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心

实验室中文全称：北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心（网址：http://kjc.bit.edu.cn/kjpt/sbjzdsyszx/45311.htm）

英文名称：Beijing Engineering Research Center of Silicon-based High-speed system-on-chip

北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心于2014年批准设立。

中心依托电子科学与技术一级学科，主要研究方向基于CMOS工艺的高性能核心电子元器件、基于相控阵体制的射频前端片上系统、面向导航与通信应用的多体制多模式硅基集成电路系列芯片和航空航天领域微波雷达信号处理系列芯片等。

本中心在申请初期依托已有工程化产品的标准化、模块化、可扩展、可重构的片上系统集成研发体系，规划了三个研究方向基于CMOS工艺的高性能核心电子元器件、基于相控阵体制的射频前端片上系统、面向导航与通信应用的多体制多模式硅基集成电路系列芯片。三年内，在上述研究方向基础上，已扩展了一个新方向为航空航天领域微波雷达信号处理系列芯片。

在上述研究方向中，本中心着眼产学研用相结合，形成独具特色的研究和科技转化成果，建设成为硅基高速片上系统及应用领域内具有国际影响力的研究开发平台，全面开展了高性能高可靠性模拟/射频系列芯片、射频MEMS滤波器、相控阵射频收发前端片上系统芯片、导航与通信/雷达应用的用户终端专用集成芯片四项工程产品的定型，覆盖了硅基片上系统IP库和设计平台构建、相控阵体制下硅基集成电路射频收发系统研究、面向北斗二代/近目标雷达的硅基模拟/射频集成器件的研发与应用等方向，技术水平处于国内领先水平，并取得了丰厚的科研成果和显著的成果转化效益。并依托北京理工大学科研和育人平台优势，为北京市新一代通信、测控、导航、图像处理、信息信号采集、雷达等民用和军用信息系统提供了多系统集成关键技术支撑和该领域高水平人才培养基地。

中心未来三年的主要工程转化工作方向有基于CMOS工艺的高性能核心电子元器件、基于相控阵体制的射频前端片上系统、面向导航与通信应用的多体制多模式硅基集成电路系列芯片和航空航天领域微波雷达信号处理系列芯片，中心基于现有工程基础和科技实力，一方面继续提升和完备自主创新能力和知识产权，在前沿领域保持科研优势，积累持续工程化产品的研发；两一方面持续开展硅基高速信号处理及射频片上系统工程研究，丰富系列化产品，完善工程化产品的应用和推广，加大科研成果转化经济效益。进一步加强人才队伍培养和建设，广泛开展国内外产学研交流与合作。

中心在国家重点基础研究发展规划(973计划)课题、国家高技术研究发展计划(863计划)项目、国家杰出青年基金项目、国防预研项目、北京市自然科学基金等多个重大专项的支持下，开展基于CMOS工艺的高性能核心电子元器件研制、基于相控阵体制的射频前端片上系统研制，以及面向导航与通信应用的多体制多模式硅基集成电路系列芯片研制等方面的科研工作。在硅基高速信号处理片上集成技术、射频片上集成技术领域处于国内领先地位，在毫米/亚毫米集成电路、数模混合片上系统（SOC）、数字全极化发射接收、ASIC等相关领域掌握了国际一流的先进技术。拥有Cadence、ADS、Ansoft HFSS、Ansoft Designer等专业设计软件和相关流片工艺库，以及从基带到70GHz的全套测试设备，设计环境、测试环境和工艺环境均已达到国内领先水平，是全国少数几家拥有大规模集成电路设计及片上系统集成能力的研发机构。

联系人：王兴华

联系电话：13810022189