极谱法测定矿石中的微量铟

氮化铟安全信息及制备方法

原子吸收AAS元素分析方法铟In

1. 基本特性:   原子量 114.82   电离电位 5.8 （ev）   离解能 1.1 （ev）2. 样品处理:   HNO3+HF; HCL+H2SO4; HCL+H2SO4+HNO3;3. 分析条件   分析线: 303.9 nm   狭缝: 0.4 nm （火焰）         2.

磷化铟？“老了点”－石墨烯？“窄了点”

　　“磷化铟？这是不是写错了？”7日上午，政协委员分组讨论“十三五”规划纲要。中科院上海技术物理研究所研究员何力对半导体材料和器件研究多年，而“十三五”规划纲要中关于高端材料的一段话却让他困惑——“ 大力发展形状记忆合金、自修复材料等智能材料，石墨烯、超材料等纳米功能材料，磷化铟、碳化硅等下一代半导

原子吸收AAS元素分析方法铟In

原子吸收AAS--元素分析方法--铟In1. 基本特性:   原子量 114.82   电离电位 5.8 （ev）   离解能 1.1 （ev）2. 样品处理:   HNO3+HF; HCL+H2SO4; HCL+H2SO4+HNO3;3. 分析条件   分析线: 303.9 nm   狭缝: 0.

研究揭示氧化铟纳米颗粒表面羟基网络

　　近日，中科院大连化学物理研究所研究员侯广进团队在高场超快魔角旋转固体核磁共振（NMR）技术应用于材料结构表征研究中取得新进展。该团队借助高场超快1H MAS NMR技术，并结合17O NMR、1H-1H同核、1H-17O异核相关实验，对富羟基的氧化铟（In2O3）表面结构进行了深入分析，并利用高

极谱法测定矿石中的微量铟

一、方法要点本法在5mol／L氢溴酸介质中，用乙酸丁酯萃取铟，然后用底液反萃取，直接进行极谱测定，可适用于各种矿石样品及金属锌中微量铟的测定。二、试剂与仪器(1)乙酸-乙酸钠缓冲液(pH=6)：称取无水乙酸钠80g溶于水，加入冰乙酸2．4mL，用水稀释至1000mL，摇匀。(2)铜铁试剂溶液：0．3

氧化铟的安全信息和产品信息

氧化铟纳米颗粒表面羟基网络研究被揭示

　　 近日，中科院大连化学物理研究所研究员侯广进团队在高场超快魔角旋转固体核磁共振（NMR）技术应用于材料结构表征研究中取得新进展。该团队借助高场超快1H MAS NMR技术，并结合17O NMR、1H-1H同核、1H-17O异核相关实验，对富羟基的氧化铟（In2O3）表面结构进行了深入分析，并利用

铟和铊的存在形式、危害及测定方法

铟和铊都不是动植物及人体所必需的微量元素。它们在动植物体内的生理作用尚不清楚。铊的毒性大于铟,经动物试验,铊能引起、心脏等软组织病变。铊和砷、铅类似而有剧毒,摄入铊盐会导致动物大量脱毛,因误用146 mg乙酸铊使10岁儿童中毒死亡已有报导。土壤铊含量与植物铊含量有一定相关性,铊污染的土壤使硝化菌的形

突破5500小时！“铟”为有你－相伴到“铑”

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518300.shtm

催化极谱法测定纯铟中的痕量硅

一、方法要点硅的极谱测定有间接法、直接发与伏安法等。本法在一定条件下使SiO42-与MnO42-形成β-12-硅钼酸。通过测定硅钼酸中组成钼的催化波来间接测定硅，灵敏度为7×10-10mol/L，本法应用于高纯铟中痕量硅的测定，可检测至4×10-6%。二、试剂与仪器(1)极谱底液：2.5%氯酸钾 -

催化极谱法测定纯铟中的痕量硅

一、方法要点硅的极谱测定有间接法、直接发与伏安法等。本法在一定条件下使SiO42-与MnO42-形成β-12-硅钼酸。通过测定硅钼酸中组成钼的催化波来间接测定硅，灵敏度为7×10-10mol/L，本法应用于高纯铟中痕量硅的测定，可检测至4×10-6%。二、试剂与仪器(1)极谱底液：2.5%氯酸钾 -

萃取石墨炉原子吸收法测定铟、铊的操作步骤

操作步骤(1)水样消解①准确移取适量水样(铟、铊含量应小于0.4 μg)于烧杯中(视水样的量可选用100~250 ml的烧杯),加入三氯化铁溶液0.5 ml,浓盐酸5 ml,在电热板上蒸发至约剩5 ml时,加入15 ml(1+1)硫酸微热溶解可能产生的残渣。转入50 ml具塞比色管中,冷却至室温,加

铟矿床地质时空分布有什么特征？富集机制又是怎样？

中国科学院广州地球化学研究所研究员赵太平及其博士生陈程、孟雷，与云南大学何小虎副教授、福州大学徐净副研究员和刘文元副教授合作，系统总结了中国岩浆热液型铟矿床的地质、时空分布特征及铟的富集机制。相关研究成果近日发表于Ore Geology Reviews。 由于铟在地壳中的含量极低，想要大量获取这

砷化铟可替代硅制造未来电子设备

　　据美国物理学家组织网11月23日（北京时间）报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。该研究结

美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管

　　硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了，据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管，长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。 　　麻省理工学院电气工程和计算

铜铟镓硒薄膜太阳电池的技术特点

铜铟镓硒薄膜太阳电池的特点铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，铜铟镓硒薄膜太阳电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观

分光光度法测定纯锡中的微量铟

一、方法要点将纯锡和铅用酸溶解，加HBr冒烟除锡，加硫酸沉淀PbSO4，试液在pH=4的乙酸-乙酸铵缓冲溶液中，在羧甲基纤维素钠存在下，三价铟与溴邻苯三酚红和氯化十四烷基二甲基苄基铵形成蓝紫色胶束络合物，在分光光度计上用1cm比色皿，波长640nm处测吸光度。二、试剂与仪器(1)溴邻苯三酚红(BPR

萃取石墨炉原子吸收法测定铟、铊的注意事项

精密度和准确度用本方法测定水样中0.043~0.12 mg/L的铟,相对标准偏差为5.56%~10.4%;水样中0.21~0.94 mg/L铊的相对标准偏差为3.85%~10.79%,加标回收率为90%～105%。注意事项①各种型号的仪器,测定条件不尽相同,因此应根据仪器说明书选择合适条件。②普通原

铜铟镓硒太阳能电池板的应用

铜铟镓硒薄膜太阳电池光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。

铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池的前景

3、发展前景*****与其它两种薄膜太阳能电池相比，铜铟镓硒薄膜太阳能电池极具发展前景。目前，薄膜太阳能电池包括非晶硅薄膜电池、碲化镉薄膜电池和铜铟镓硒薄膜。非晶硅薄膜电池如果长时间在强光下照射，光电转换稳定性不高。碲化镉薄膜电池受制于原料稀缺，难以大规模运用。此外，光电转换效率难以提高也制约着非晶

乌克兰科学家研发纳米级超薄硒化铟

　　 纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（~0.83 nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂

硅基磷化铟异质集成片上光源研究取得新进展

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518959.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员游天桂、欧欣课题组，基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟（InP）单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性

新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录

瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关论文发表于最新一期《自然·能源》杂志。最新CIGS太阳能电池结构的电子显微镜分析。 图片来源：《自然·能源》网站国际能源署数据显示，太阳

新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518122.shtm瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关论文发表于最新一期《

上海光机所氧化铟锡薄膜光电特性调控技术研究获进展

　　近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在调控氧化铟锡（ITO）薄膜光电特性研究中取得进展，利用高效、可选择性的准连续（QCW）激光退火技术对ITO薄膜载流子进行调控，在基本不改变ITO薄膜导电特性的前提下，实现ITO薄膜近红外波段透过率的显著提升。相关研究成果发表在《应用表面科学》

萃取石墨炉原子吸收法测定铟、铊的仪器和试剂选择

仪器①原子吸收分光光度计,帯石墨炉及背景校正器;②涂Mo或涂La石墨管。仪器参数如表1 所示。表1   铟、铊的测定条件元素铟铊波长(nm)325.6276.8通带宽度(nm)0.40.4干燥(℃/s)80~120/3080~120/20灰化(℃/s)700/30500/20原子化(℃/s)2600

二维材料硒化铟在卸压过程中超导增强

　　在高压条件下，一些物质会出现超导现象。然而，随着压力的卸除，这种超导现象往往会消失。著名国际材料学术期刊《先进材料》10日载文称，北京高压科学研究中心国家“千人计划”特聘专家陈斌研究员和吉林大学高春晓教授领衔的国际合作小组首次发现，二维材料硒化铟在卸压过程中有超导增强现象，从而使高压超导材料的应

锌冶炼废渣生产铟工艺及高效复合萃取剂的应用技术

　　12月21日，青海省科技厅组织有关专家对中国科学院青海盐湖研究所与青海西部铟业有限责任公司共同承担完成的科技人员服务企业行动项目进行了验收和成果鉴定。 　　针对铅锌冶炼废渣大量堆放造成资源浪费和环境污染的问题，中科院青海盐湖研究所与青海西部铟业有限责任公司联合对铅锌冶炼废渣综合回收处理工艺进行

铜铟镓硒太阳能电池板的制造工业特点

用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制，进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现，在一个溅射周期中，Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大，其次是In靶溅射时间，非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟