中国科大等在氧化物电子学领域取得进展

中国科学技术大学教授吴文彬和王凌飞团队联合西北大学教授司良团队，制备了广谱高效的新型超四方相水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7，可用于制备多种高质量自支撑氧化物薄膜。1月26日，相关研究成果以研究长文形式，以Super-tetragonal Sr4Al2O7 as a sacrificial layer for high-integrity freestanding oxide membranes为题，发表在《科学》（Science）上。

自支撑氧化物薄膜是指一种去除衬底后依旧保持单晶特性的低维量子材料，兼具关联电子体系的多自由度耦合特性和二维材料的结构柔性。这类材料具有超弹性、挠曲电性和显著的磁弹效应等，有望诱导出传统外延氧化物薄膜不具备的新奇量子衍生现象和功能特性。同时，由于摆脱了单晶衬底的刚性束缚，自支撑氧化物薄膜易于实现与硅基半导体、二维范德瓦尔斯材料以及柔性高分子材料的集成，在超薄柔性电子器件开发方面颇具应用潜力。

多年来，自支撑氧化物薄膜的主流制备方法是基于水溶性牺牲层的外延生长、剥离和转移技术。然而，目前国际上普遍使用的Sr-Al-O基水溶性牺牲层与目标氧化物薄膜之间不可避免的晶格失配和应力弛豫会导致高密度界面缺陷的形成，进而在水辅助剥离和转移过程中诱发高密度裂纹的产生，显著影响自支撑氧化物薄膜的结晶性和完整性，并导致相应功能特性的退化。因此，如何抑制微裂纹的形成，获得大面积、高结晶性的自支撑氧化物薄膜，是推动这一领域发展的关键科学问题。

该研究探索了Sr-Al-O基水溶性牺牲层薄膜的激光分子束外延生长窗口，通过精细的薄膜生长控制发现了新型水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7。系统的实验表征和第一性原理计算展现了该材料的优异性质：双轴应变下的Sr4Al2O7薄膜具有四方结构对称性，与多数ABO3钙钛矿材料可以形成高质量共格外延生长，抑制了界面处缺陷的形成和水辅助剥离过程中的裂纹产生，显著提升了自支撑氧化物薄膜的结晶性和完整性。研究验证了晶格常数在3.85~4.04 Å区间的一系列钙钛矿氧化物薄膜的剥离效果，发现了从Sr4Al2O7牺牲层上剥离的自支撑薄膜中无裂纹区域可以扩展到毫米级，比目前已报道的同类自支撑薄膜样品大1~3个数量级，且其结晶性和功能性可以与单晶衬底上生长的高质量外延薄膜相当。Sr4Al2O7薄膜的激光分子束外延生长窗口与多数钙钛矿氧化物薄膜兼容，制备工艺具有普适性。研究进一步发现，Sr4Al2O7独特的原子结构导致其具有很高的水溶性，显著缩短了水辅助剥离过程的时间，提升了自支撑氧化物薄膜的制备效率。

新型水溶性牺牲层Sr4Al2O7的发现，为制备高结晶性、大面积自支撑氧化物薄膜提供了高效且普适的实验手段。这有望推动自支撑氧化物薄膜新奇量子物态的进一步发掘，并可以提升这一体系在低维柔性电子学器件方面的应用潜力。审稿人对这一成果给予高度评价，认为“对于（自支撑氧化物薄膜）这一正迅速发展的研究领域内的科学家而言，这无疑是一个有趣的工作”“章等人的工作具有从多个方面对氧化物电子学领域形成广泛影响的潜力”。

研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划、中国科大“双一流”专项基金等的支持。

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