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电源设计经验之MOS管驱动电路

在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。驱动电路结构简单可靠、损耗小。根据情况施加隔离。下面......阅读全文

电源设计经验之MOS管驱动电路

在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速

全面解析MOS管特性、驱动和应用电路

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。  下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,并非原创。包括M

MOS场效应管电源开关电路简介

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简介MOS场效应管电源开关电路的原理

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开关电源EMI设计经验

1、开关电源的EMI源开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。(1)功率开关管功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态,dv/dt和di/dt都在急剧变换,因此,功率开关管既是电场耦合的主要干扰

开关电源芯片内部电路解析(一)

作为一名电源研发工程师,自然经常与各种芯片打交道,可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解,不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面,按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题,却也忽略了更多的技术细节,对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。 今天以一颗DC/DC降压电

全面详解电源电路(二)

五、稳压环路原理1、反馈电路原理图:2、工作原理:当输出 U0 升高,经取样电阻 R7、R8、R10、VR1 分压后,U1③脚电压升高,当其超过 U1②脚基准电压后 U1①脚输出高电平,使 Q1 导通,光耦 OT1 发光二极管发光,光电三极管导通,UC3842①脚电位相应变低,从而改

全面详解电源电路(一)

一、开关电源的电路组成 开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器(EMI)、整流滤波电路、功率变换电路、PWM 控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下:二、输入电路的原理及常见电路1、AC

电源管理IC芯片该如何选择?(二)

本文将重点介绍4种主要的电源管理IC。1、LDO——最基本的电源IC,是一种低压差线性稳压器,使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET),从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压

详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程-2

  由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V,为充分驱动电源开关电路,这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V.如图3所示。  2.3MOS场效应管电源开关电路  下面简述一下用C-MOS场效应管(增强型MOS场效应管)组成的应用电路的工作过程(见图4)。电路将一个增