中国科大在石墨烯光电调控研究中获得突破
近日，中国科学技术大学物理学院严济慈班09级本科生戚骥等人在曾长淦教授的指导下，在石墨烯的光电调控方面取得新进展，利用光栅压调控放置在半导体表面的石墨烯的掺杂类型和载流子浓度，并实现电子超晶格，该研究成果发表在国际杂志Advanced Materials上，戚骥是第一作者。 石墨烯的载流子浓度调控非常重要，通常是通过电栅压或者化学掺杂来实现的。然而，电栅压调控需要绝缘介电层，而化学掺杂又缺乏简洁、有效的可调性。戚骥等人发现可以利用光栅压对放置在一般半导体表面的石墨烯实现载流子调控：半导体与石墨烯的界面通常存在Schottky电场，当入射光能量大于半导体能隙时，界面电场将使激发的电子空穴对分离，并驱动其中一种载流子在石墨烯积累，从而实现光栅压对载流子的调控。由于石墨烯只有单层而且本征载流子浓度很低，因此这种调控非常有效，通过改变光强可以使掺杂类型从p到n可逆转变。另一方面，对石墨烯载流子进行空间依赖的调控可以实现各种......阅读全文
物理所石墨烯摩尔超晶格研究取得系列进展
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）纳米物理与器件实验室在《自然•材料》、《自然•纳米技术》、《自然•物理》、《自然•通讯》刊登了系列研究成果。针对石墨烯/氮化硼异质结构，他们系统研究了氮化硼基底调制下的摩尔超晶格以及相关物理现象，为石墨烯能带及电子学性质调控提供了新思路。
中国科大就制备石墨烯基超晶格材料提出一种新策略
近日，中国科学技术大学教授谢毅课题组在石墨烯基超晶格材料的合成及应用领域取得新进展。研究人员通过利用空间限域生长的策略，首次在溶液中合成出钒氧骨架-石墨烯超晶格材料并显示出大幅度增强的磁热效应，研究成果在线发表在Nature Communications上。 众所周知，超晶格材料由于其特殊的
中国科大就制备石墨烯基超晶格材料提出一种新策略
近日，中国科学技术大学教授谢毅课题组在石墨烯基超晶格材料的合成及应用领域取得新进展。研究人员通过利用空间限域生长的策略，首次在溶液中合成出钒氧骨架-石墨烯超晶格材料并显示出大幅度增强的磁热效应，研究成果在线发表在Nature Communications上。 众所周知，超晶格材料由于其特殊的
物理所等在石墨烯外延及二维超晶格研究中取得进展
石墨烯以其独特的线性能量色散关系、高迁移率、高热导率以及优异的力学性能等而在凝聚态物理及材料科学等领域内倍受关注。众所周知，石墨烯的性质受衬底的影响很大，常用的氧化硅衬底会引起额外的载流子散射和电声相互作用而使其质量下降很多。最近的研究发现，六方氮化硼由于其原子级平整的表面、无悬挂键、掺杂效应弱
中国科大在石墨烯光电调控研究中获得突破
近日，中国科学技术大学物理学院严济慈班09级本科生戚骥等人在曾长淦教授的指导下，在石墨烯的光电调控方面取得新进展，利用光栅压调控放置在半导体表面的石墨烯的掺杂类型和载流子浓度，并实现电子超晶格，该研究成果发表在国际杂志Advanced Materials上，戚骥是第一作者。 石墨烯的载
石墨烯/氮化硼异质结构的热致旋转现象观测研究获进展
二维材料范德华异质结构近期在二维材料和物理研究领域引起了广泛的研究兴趣。不同的二维材料通过范德华力结合在一起可以形成不同类型的异质结构，往往可以表现出单种二维材料所不具备的特性。这种人工异质结的出现为研究者有目的性地设计不同结构以及器件提供了极大的空间。例如垂直隧穿晶体管，二维材料激光器等等。在
南大团队成功研制超平整石墨烯薄膜
近日，由南京大学物理学院高力波教授团队领衔，协同学院四个青年学者团队，以“质子辅助生长超平整石墨烯薄膜”为题，在《自然》杂志上发表了将质子辅助生长用于高质量石墨烯制备的研究成果。这项工作，不仅探索出了一种可控生长超平整石墨烯薄膜的方法，更为重要的是，该团队还发现了这种生长方法的内在机制，即质子
Science：DNA掺杂的“超晶格”
西北大学Vinayak P. Dravid、Chad A. Mirkin和Koray Aydin（共同通讯作者）等人开发了一种新技术，用于制造具有纳米结构的超材料，这种纳米结构可以被赋予独特的光学特性。通过使用附着在DNA链上的可以根据要求缩小或拉伸的金纳米粒子，该研究团队能够改变材料的颜色，通
油水分离用超疏水石墨烯泡沫材料问世
近日，中国科学院新疆理化技术研究所环境科学与技术研究室复合材料研究团队科研人员通过调节材料表面粗糙度以及表面能，设计了具有超疏水特性的油水分离用石墨烯泡沫材料。相关研究结果发表在《胶体与界面科学杂志》上。 新型二维碳材料——石墨烯是构成其他石墨材料的基本单元，特别是由其为基本单元构成的三维结构
上海微系统所等实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控
近日，《纳米尺度》（Nanoscale）杂志以《六角氮化硼表面石墨烯晶畴边界调控》（Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride）为题，在线刊登了中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室陈