Structure：损伤DNA末端降解过程机制
2022年7月15日，浙江大学生命科学学院赵烨教授、华跃进教授联合浙江大学医学院郭江涛教授团队在CellPress旗下的Structure杂志发表了题为“Mechanisms of helicase activated DNA end resection in bacteria”的研究成果。该论文使用冷冻电镜首次解析了细菌中的损伤DNA末端降解复合体HerA-NurA完整八聚体复合物的结构，并结合生化实验发现NurA延伸到中央孔径的N端区域（ENR）调节了HerA-NurA的解旋酶和核酸酶活性，揭示了细菌中有别于古菌的DNA末端切除机制。内源性和外源性的胁迫会造成各种类型的DNA损伤，其中DNA双链断裂（DSB）被认为是最为严重的一种DNA损伤类型，如不能及时修复将极大的影响基因组的稳定性，导致早衰，恶性肿瘤等重大疾病的发生。同源重组修复途径是DSB修复的重要方式之一，其首先依赖于对损伤DNA的末端降解步骤（end resect......阅读全文
什么是DNA末端复制
端粒是染色体末端的DNA重复序列，作用是保持染色体的完整性。细胞分裂一次，由于DNA复制时的方向必须从5'方向到3'方向，DNA每次复制端粒就缩短一点（参见冈崎片段）。一旦端粒消耗殆尽，染色体则易于突变而导致动脉硬化和某些癌症。因此，端粒和细胞老化有明显的关系。一直以来都知道精、卵细
末端标记DNA探针技术
现以Klenow片段标记3'末端为例说明末端标记的方法。1、材料：待标记的双链含凹缺3'末端的DNA。2、设备：高速台式离心机，水浴锅等。3、试剂：(1)3种不含标记的dNTP各为200mmol/L。(2)合适的限制酶。(3)[α-32P] dNTP:3000Ci/mmol, 10m
Structure：损伤DNA末端降解过程机制
2022年7月15日，浙江大学生命科学学院赵烨教授、华跃进教授联合浙江大学医学院郭江涛教授团队在CellPress旗下的Structure杂志发表了题为“Mechanisms of helicase activated DNA end resection in bacteria”的研究成果。该论文使
DNA测序——双脱氧链末端终止法
实验方法原理DNA聚合酶催化的DNA链延伸是在3'-OH末端上进行的。由于2’，3’-双脱氧三磷酸核苷酸(ddNTP)的3'-位脱氧而失去游离-OH，当它参入到DNA链后，3'-OH末端消失，使DNA链的延伸终止。 本实验根据此原理，将待测DNA片段插入单链噬菌体M13载体，
向平末端DNA连接合成接头实验
接头是指合成的能够自身互补的 DNA 片段，一般长 8~16 个核苷酸，互补的片段复性后可形成平末端的含有一个酶切位点的双链分子。本实验来源「分子克隆实验指南第三版」黄培堂等译。实验方法原理接头是指合成的能够自身互补的 DNA 片段，一般长 8~16 个核苷酸，互补的片段复性后可形成平末端的含有一个
向平末端DNA连接合成接头实验
实验方法原理 接头是指合成的能够自身互补的 DNA 片段，一般长 8~16 个核苷酸，互补的片段复性后可形成平末端的含有一个酶切位点的双链分子。 实验材料
向平末端DNA连接合成接头实验
实验方法原理 接头是指合成的能够自身互补的 DNA 片段，一般长 8~16 个核苷酸，互补的片段复性后可形成平末端的含有一个酶切位点的双链分子。实验材料 T4 噬菌体连接酶T4 噬菌体多聚核苷酸激酶限制性内切核酸酶外源或目的 DNA 片段试剂、试剂盒 乙酸胺ATP乙醇10X 接头激酶缓冲液MgCl2
线形质粒DNA 5'-粘性末端去磷酸实验
实验材料 质粒试剂、试剂盒 CIAPEDTABUFFER酚-氯仿乙醇TE仪器、耗材 水浴锅抽干机实验步骤 1、质粒DNA和CIAP以及BUFFER 37 ℃水浴30min 2、补充CIAP 再37 ℃水浴30min 3、加入50 mM EDTA至终浓度5 mM 75 ℃加热10min 失活CIAP
大肠杆菌DNA聚合酶Ⅰ Klenow片段实验——标记DNA的3‘末端
实验方法原理选用本方法可产生用于放射自显影的32P末端标记分子量标志物。放射自显影带的强度与片段长度无关，标记DNA可稳定数月之久。 实验材料DNA试剂、试剂盒dNTP仪器、耗材水浴锅实验步骤1. 在20 μl 反应体积中，用可产生5’突出端的限制性内切酶消化0.1~0.4 μg DNA。 2.
线形质粒DNA 5'-粘性末端去磷酸实验——抽提法
实验材料质粒试剂、试剂盒CIAPEDTABUFFER酚-氯仿乙醇TE仪器、耗材水浴锅抽干机实验步骤1、质粒DNA和CIAP以及BUFFER 37 ℃水浴30min 2、补充CIAP 再37 ℃水浴30min 3、加入50 mM EDTA至终浓度5 mM 75 ℃加热10min 失活CIAP 4、冷却