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863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查

9月6日,由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光机所主任吴谊群作为评审专家出席了会议。中科院上海微系统所党委书记、常务副所长王曦院士,科技处长胡善荣以及项目组成员共计20余人参加了此次会议。会议由检查专家组长陈弘达主持。 会上,项目负责人宋志棠研究员汇报了课题中期进展,专家组认真审查了相关技术文件和资料,参观了课题组完成的16Kbit-1M的封装芯片和RFID-PCRAM流片样品,并现场测试8寸1Mb测试芯片。结果表明,各项技术指标均全面满足合书同要求,专家组对此给予了高度评价和肯定。 专家组评议认为,该课题自启动至今取得了重大的关键技术突破和阶段性成果:组建了强大的100多人......阅读全文

“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收

  12月20日,国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅,以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题

863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查

  9月6日,由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。  国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光

院企合作突破相变存储器关键技术

  今天,记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉,该所联合中芯国际集成电路制造(上海)有限公司开展的相变存储器(PCRAM)研究,在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来,合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破,实现了产业化销售。 

上海微系统所召开国家纳米重大项目2010年度总结会

  4月15日,国家纳米重大科学研究计划项目“基于纳米机构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究”及“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”2010年度项目总结会在依托单位中科院上海微系统与信息技术研究所召开。   上海微系统所所长助理宋志棠研究员介绍了会议议程并致欢迎词。国家纳米重大专项专家

高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现

  集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一,是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地,存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断,对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存

研究获重要发现高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料

   集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一,是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地,存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断,对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体

我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展

  在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(批准号:61622408)、面上项目(批准号:61774123)等资助下,深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作,在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha

新型存储器有望推动存储技术的变革

  集成电路,俗称“芯片”,是信息技术产业的核心,被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体,占集成电路市场的四分之一,我国存储器市场占全球市场的一半,但缺乏自主知识产权和人才,导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。  为解决此难题,有一个团队默默耕耘了十

非易失性存储器国际研讨会在上海落幕

  由国际电子电气工程师学会主办、中科院上海微系统与信息技术研究所和新加坡数据学院共同承办的第11届非易失性存储器国际研讨会于11月9日在上海落幕。来自美、俄、日等10个国家和地区的200多位专家学者和产业界人士,围绕非易失性存储器领域的最新进展进行了研讨。  与易失性存储器相比,非易失性存储器具有

这种新材料为什么能实现稳定波导光存储器

  近日,来自中国科技大学量子信息研究所的研究人员们报告了在151Eu3+:Y2SiO5晶体中使用飞秒激光微加工制作II型波导,并验证了基于该波导的光量子存储器的可靠性。图:实验装置示意图。主激光束被分成两部分,分别作为制备模式、控制模式和输入模式。输入模式可以通过自旋波AFC方案中的输入1模式注入