近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展
中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。 实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温度为1073K，退火时间为30分钟；另外一块不做退火处理。实验清楚地表明：退火前样品内部存在高密度的氦泡。其截面透射电镜结果如图1所示。 科研人员将注氦后的样品再注入100 keV的氧离子，剂量为3×1016/cm2。再选择一块单晶硅，注入同样条件的氧离子。氧离子注入完成后，经高温退火处理 (1423K,3h和1473K,2h)，退火气氛为Ar/O2 (100/10)。利用截面透射电镜研究了样品内部的微结构氧原子分布，发现氦、氧离子联合注入能够提高样品内部氧的含量，降低样品内部缺陷的密度，如图2和3所示。 这些研究表明：氦离子注入......阅读全文
近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展
中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。 实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温
离子注入机概述
离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。 中文名：离子注入机 外文名:Ion implanter 属 性
稀磁性半导体的制备方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技术由于其在原子尺度上精 确控制外延膜厚、掺杂和界面平整度的特点，明显优 于液相外延法和气相外延生长法，更有利于生长高质 量DMS薄膜。采用低温分子束外延（LT-MBE）技术， 能够有效的抑制新相的析出，同时辅助以高能电子衍 射仪（RHEED），监控生长过程中的表面再
离子注入机的应用
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了
离子注入机的原理
离子注入机由离子源、离子引入和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过
大连化物所等金属-载体界面结构研究取得新进展
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室催化反应化学研究组副研究员周燕、研究员申文杰等与德国卡尔斯鲁厄理工学院教授汪跃民、丹麦托普索公司博士Jens Sehested等合作，在铜催化剂活性位原子结构及反应机理研究方面取得新进展。研究成果在线发表在《自然-催化》（Nature Ca
大连化物所等金属-载体界面结构研究取得新进展
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室催化反应化学研究组副研究员周燕、研究员申文杰等与德国卡尔斯鲁厄理工学院教授汪跃民、丹麦托普索公司博士Jens Sehested等合作，在铜催化剂活性位原子结构及反应机理研究方面取得新进展。研究成果在线发表在《自然-催化》（Nature Ca
聚焦离子束（FIB）技术介绍
1.引言 随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束（FIB）技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目
大连化物所等金属-载体界面结构研究取得新进展
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室催化反应化学研究组副研究员周燕、研究员申文杰等与德国卡尔斯鲁厄理工学院教授汪跃民、丹麦托普索公司博士Jens Sehested等合作，在铜催化剂活性位原子结构及反应机理研究方面取得新进展。研究成果在线发表在《自然-催化》（Nature Ca
氧族元素的原子结构
原子序数元素电子层结构8氧2, 616硫2, 8, 634硒2, 8, 18, 652碲2, 8, 18, 18, 684钋2, 8, 18, 32, 18, 6116鉝2, 8, 18, 32, 32, 18, 6相同点·原子最外层有6个电子·反应中易得到2个电子·表现氧化性不同点·除氧外其它氧族