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传统使用VCE进行短路检测时，因需兼顾检测一类短路和二类短路的需要，VCE需要较高的阈值，这使得驱动器只能在IGBT退饱和时的VCE快速上升阶段检测到IGBT的短路状态。利用两级di/dt分别检测两类短路，会在VCE检测盲区时间内就检测到两类短路状态。因此，无论是一类短路还是二类短路，利用两级di/dt检测短路的方法，通过设置合适的检测阈值，都拥有更快的检测速度从而最佳地保护IGBT模块。 需要注意的是两级di/dt分别检测IGBT模块的两类短路需配合适当的软关断电路才能发挥其快速检测IGBT模块短路的优势。当驱动器快速检测到IGBT发生短路后不能立即直接关断IGBT模块，因为此时电流还在不断上升，如果直接关断IGBT模块将会产生非常高的电压尖峰，会危及IGBT的安全。若使用硬关断，则需等待VCE上升至母线电压方可动作；若使用软关断，可立即动作，缓慢降低门极电压，电流会逐渐降低，此时VCE上升速率会加快，但产生的过......阅读全文
为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题，在分析了IGBT短路特性的基础上，提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施，限制IGBT的短路电流和短路功耗，减小关断尖峰电压。基
图5为本文设计的两级di/dt分别检测两类短路的波形。通过观察图5(a)实验波形可知，发生一类短路后开通约2.4 μs时，第二级di/dt已检测出一类短路状态并将短路信号送给前级CPLD，驱动器采取相应的软关断措施将电流最大值限制在3.16 kA，短路持续时间为2 μs，短路损耗
IGBT发生短路时的电流是额定电流的8~10倍[4]。如果不能够快速地检测到短路故障，同时配合适当的软关断保护措施，IGBT将会被损坏。 2、 两级di/dt检测短路原理 封装后的IGBT模块内部有两个发射极，一个是辅助e极，另一个是功率E极，辅助e极和功率E极之间有一个小于10 n