Antpedia LOGO WIKI资讯

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略(一)

为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGBT的短路电流和短路功耗,减小关断尖峰电压。基于3 300 V/1 200 A IGBT模块的短路实验结果证明了该策略的有效性和可行性。 IGBT是一种先进的功率开关器件,兼有GTR高电流密度、低饱和电压和高耐压的优点以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率、单极型电压驱动和低驱动功率的优点[1]。近年来,IGBT已经在汽车电子、机车牵引和新能源等各个领域获得广泛的应用。由于大功率IGBT模块通常工作在高压大电流的条件下,在系统运行的过程中,IGBT模块会出现短路损坏的问题,严重影响其应用。因此,IGBT短路检测与保护是其中的一项关键技术。而大功率IGBT模块的短路检测和保护......阅读全文

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略(一)

  为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGBT的短路电流和短路功耗,减小关断尖峰电压。基

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略(三)

  传统使用VCE进行短路检测时,因需兼顾检测一类短路和二类短路的需要,VCE需要较高的阈值,这使得驱动器只能在IGBT退饱和时的VCE快速上升阶段检测到IGBT的短路状态。利用两级di/dt分别检测两类短路,会在VCE检测盲区时间内就检测到两类短路状态。因此,无论是一类短路还是二类短路,利

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略(二)

  IGBT发生短路时的电流是额定电流的8~10倍[4]。如果不能够快速地检测到短路故障,同时配合适当的软关断保护措施,IGBT将会被损坏。  2、 两级di/dt检测短路原理  封装后的IGBT模块内部有两个发射极,一个是辅助e极,另一个是功率E极,辅助e极和功率E极之间有一个小于10 n

基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略(四)

  图5为本文设计的两级di/dt分别检测两类短路的波形。通过观察图5(a)实验波形可知,发生一类短路后开通约2.4 μs时,第二级di/dt已检测出一类短路状态并将短路信号送给前级CPLD,驱动器采取相应的软关断措施将电流最大值限制在3.16 kA,短路持续时间为2 μs,短路损耗

IGBT短路保护电路的设计

固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外,还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,开关频率高,广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当,它很容易损坏。一般认

IGBT的检测方法(一)

  IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。  一、用指针式万用表对场效应管进行判别  (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极  根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨

高精度igbt功率模块推拉力测试机

型号:LB:8500L  产品优势:1.采用测试工位自动模式,在软件选择测试工位后,系统自动到达对应工作位。2.三个工作传感器,采用独立采集系统,保证测试精度。3.每项传感器采用独立防碰撞及过力保护系统。4.每项测试工位采用独立安全限位及限速功能。5.人性化的操作界面,人员操作方便。6.高精度传感系

国内最高性能IGBT芯片及模块问世

  近日,由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并通过成果鉴定,刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为,该项目成果总体技术处于国际领先水平,代表了我国功率半导体器件行业IG

IGBT的检测方法(二)

  二、场效应管的使用注意事项  (1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。  (2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能

IGBT的检测方法(三)

  注意事项:  (1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。  (2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。  (3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例