微电子所采用ALD技术显著提升发光器件效率
日前，中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展。 上世纪80年代，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引入45纳米节点及以后的集成电路制造工艺，由于其沉积参数的高度可控性(厚度，成份和结构)，优异的沉积均匀性和一致性使得其在微电子领域获得了广泛的应用。 中国科学院微电子所四室刘洪刚研究员针对工业界常用的电子束方法制备分布式布拉格反射镜(DBR)存在厚度不均匀、生产效率低等缺点，提出采用原子层沉积技术研制高性能分布式布拉格反射镜(DBR)的设想以提升半导体发光器件的光提取效率，他带领的科研团队通过开展ALD-DBR的材料筛选、结构设计、沉积工艺、光学测量等方面的系统研究，研制出适于ALD大规模生产的Al2O3/TiO2新型DBR结构......阅读全文
原子层沉积
原子层沉积(ALD)是一种真正的"纳米"技术，以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程，微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。 原子层沉积的优点 因为原子层沉积工艺在每个周期内精确地沉积一个原子层，所以能
原子层沉积的研究
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ALD的工艺特点及工艺过程后，针
原子层沉积系统（ALD）的介绍
是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
原子层沉积系统（ALD）的应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构） 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子层沉积系统（ALD）的原理
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
对于原子层沉积系统（ALD）的研究
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ALD的工艺特点及工艺过程后
原子层沉积系统（ALD） 跟热蒸镀沉积有什么区别？
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
微电子所采用ALD技术显著提升发光器件效率
日前，中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展。 上世纪80年代，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引
国家半导体发光器件应用产品质检中心在厦门落成
9月7日，前来厦门出席第二届世界投资论坛和第十四届中国国际投资贸易洽谈会的国家质检总局局长支树平，在视察厦门市质量技术监督局时，听说国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心将在明天落成，十分高兴。他说：“这个中心意义重大，可喜可贺。我今天返京，不能参加你们的仪式，提前向你们表示祝贺
芬兰PICOSUN公司将在波士顿举行原子层沉积系统展览
欢迎您参加2011年6月27-29在波士顿举行的芬兰PICOSUN公司的原子层沉积系统展览。具体内容如下： Thanks to our excellent ALD systems, we are happy report profitable 100% growth during th